[发明专利]带电粒子阻挡元件、包括这样的元件的曝光装置以及使用这样的曝光装置的方法

权利要求书

1.一种用于阻挡带电粒子的带电粒子阻挡元件，其中所述带电粒子阻挡元件包括衬底，其中所述衬底包括允许带电粒子通过的至少一个孔，其中所述衬底的表面的至少一部分设置有包含硼、碳或铍的材料的吸收层，其中所述吸收层被布置为与所述至少一个孔间隔开，并且其中设置有所述吸收层的所述衬底的所述表面的至少一部分包括导电材料。

2.根据权利要求1所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层的厚度足以防止所述带电粒子从位于所述吸收层下方的所述衬底的一部分向后散射，并且足够薄以使得所述带电粒子的电荷能够被所述导电材料接收。

3.根据权利要求1或2所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层的厚度在100nm至500nm之间。

4.根据权利要求3所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层的厚度在150nm至250nm之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层是硼层、氮化硼层或碳化硅层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底的至少一部分是导电的。

7.根据权利要求6所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底包括用于将所述衬底的导电的所述至少一部分连接到电压源或地电位的连接部分。

8.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底设置有导电层，其中所述导电层至少部分布置在所述衬底与所述吸收层之间。

9.根据权利要求8所述的带电粒子阻挡元件，其中所述导电层包括钼(Mo)或铬(Cr)。

10.根据权利要求8或9所述的带电粒子阻挡元件，包括连接到所述导电层的导电连接部分。

11.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底包括硅(Si)晶片。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底设置有多个所述孔。

13.根据权利要求12所述的带电粒子阻挡元件，其中所述孔被布置以形成一个或多个孔阵列，所述一个或多个孔阵列中的每个孔阵列布置在所述衬底的对应阵列区域中。

14.根据权利要求13所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层至少部分包围所述阵列区域。

15.根据权利要求13或14所述的带电粒子阻挡元件，其中每个阵列区域至少部分地由所述吸收层包围。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述吸收层还至少部分布置在每个阵列区域内。

17.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子阻挡元件，其中所述带电粒子阻挡元件包括用于冷却至少所述衬底的冷却导管。

18.根据权利要求17所述的带电粒子阻挡元件，其中所述冷却导管被布置为与所述吸收层和/或所述衬底热接触。

19.根据权利要求18所述的带电粒子阻挡元件，其中所述衬底设置有另外的导电和/或导热层，其中所述另外的导电和/或导热层被布置为与所述吸收层和所述冷却导管接触。