[发明专利]气相生长装置及其控制方法

权利要求书

1.一种化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，具有：

反应容器；

晶片保持器，其配置在所述反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；

第一原料气体供给管，其向所述反应容器内供给第一原料气体，并配置在所述晶片保持面的下方侧；

第二原料气体供给管，其向所述反应容器内供给与所述第一原料气体反应的第二原料气体，并配置在所述晶片保持面的下方侧；

喷淋头，所述第一原料气体供给管以及所述第二原料气体供给管的出口连接于所述喷淋头，所述喷淋头的表面配置在所述晶片保持面的下方侧并且与所述晶片保持面相向的位置；

特定气体供给部，所述特定气体供给部从所述晶片保持器上方朝向大致铅直下方对所述反应容器内供给特定气体，所述特定气体是不含氧并且不与所述第一原料气体以及所述第二原料气体反应的气体；以及

排气管，其排出所述反应容器内的气体，并配置在所述晶片保持面的下方侧，

所述第一原料气体供给管、所述第二原料气体供给管以及所述排气管配置为在大致铅直方向上延伸，

穿过所述晶片保持面的中心并且垂直于所述晶片保持面的轴线与所述排气管之间的距离大于所述轴线与所述第一原料气体供给管以及所述第二原料气体供给管之间的距离，

所述排气管的入口位于所述喷淋头的侧面，

从所述喷淋头排出的所述第一原料气体以及所述第二原料气体在反应容器内朝铅直上方流动，

在所述晶片的表面用于化合物半导体的晶体生长的所述第一原料气体以及所述第二原料气体朝向所述喷淋头的侧面方向和所述晶片的下方排气，

所述特定气体从所述晶片保持器的上方朝铅直下方流动，并被吸入所述排气管的入口。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，

还具有第一加热器，所述第一加热器配置在所述晶片保持器、所述第一原料气体供给管、所述第二原料气体供给管以及所述排气管的周围。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，

在所述喷淋头的表面配置有不含硅和氧的材料。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，

在所述喷淋头的表面配置有含钨的材料。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，

在所述喷淋头的表面配置有向所述反应容器内供给所述第一原料气体的多个第一喷嘴以及向所述反应容器内供给所述第二原料气体的多个第二喷嘴，

所述多个第一喷嘴各自具有：

第一中心孔，其排出所述第一原料气体；以及

第一周围孔，其配置在所述第一中心孔的周围并排出特定气体，

所述多个第二喷嘴各自具有：

第二中心孔，其排出所述第二原料气体；以及

第二周围孔，其配置在所述第二中心孔的周围并排出所述特定气体，

所述特定气体是不含氧并且不与所述第一原料气体以及所述第二原料气体反应的气体。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的化合物半导体的气相生长装置，其特征在于，

在所述晶片保持器的表面配置有含钨的材料。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体的气相生长装置，其中，

还具有第一加热部，

所述第一原料气体供给管和所述第二原料气体供给管中的至少一个的气体供给口的附近区域的表面被规定金属覆盖，

所述规定金属是能够通过催化作用分解所述第二原料气体的金属，

所述第一加热部将所述规定金属的表面加热到800℃以上。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体的气相生长装置，其中，

还具有喷淋头，所述喷淋头配置有所述第一原料气体供给管的多个气体供给口以及第二原料气体供给管的多个气体供给口，

所述喷淋头的至少所述气体供给口侧的表面被所述规定金属覆盖。