[发明专利]发射辐射的半导体元件和制造发射辐射的半导体元件的方法在审

专利信息
申请号: 201880062397.3 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN111542933A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 罗兰·海因里希·恩茨曼;胡贝特·哈尔布里特;马丁·鲁道夫·贝林格 申请(专利权)人: 欧司朗OLED股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/00;H01L27/15;H01L33/08
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李海霞
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发射 辐射 半导体 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发射辐射的半导体元件(1),包括:

-半导体本体(2),所述半导体本体具有设置用于产生辐射的有源区域(20);

-载体(3),在所述载体上布置有所述半导体本体;和

光学元件(4),

其中,所述光学元件利用直接键合连接固定在所述半导体本体上。

2.根据权利要求1所述的发射辐射的半导体元件,其中,所述载体和所述光学元件齐平地闭合在限定所述半导体元件边界的侧面(11)处。

3.根据权利要求1或2所述的发射辐射的半导体元件,其中,在所述有源区域与所述光学元件之间设有镜区域(7)。

4.根据权利要求3所述的发射辐射的半导体元件,其中,所述镜区域布置在所述有源区域与所述直接键合连接之间。

5.根据权利要求3所述的发射辐射的半导体元件,其中,所述镜区域布置在所述直接键合连接与所述光学元件之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体元件,其中,所述有源区域被划分为多个部段(20A、20B),并且所述光学元件连续地延伸经过所述多个部段。

7.根据前述权利要求中任一项所述的发射辐射的半导体元件,其中,

-在所述半导体本体的朝向所述光学元件的一侧上设有用于所述半导体元件的外部电接触的触点(5);

-所述直接键合连接在朝向所述半导体本体的一侧上与键合辅助层(61)邻接;并且

-所述键合辅助层完全覆盖所述触点并且在局部具有大于所述触点的竖直的扩展部。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发射辐射的半导体元件,其中,所述发射辐射的半导体元件在所述载体的背离所述光学元件的一侧上具有两个用于外部电接触的触点(5)。

9.一种用于制造多个发射辐射的半导体元件的方法,所述方法具有以下步骤:

a)提供半导体层序列(29),所述半导体层序列具有第一边界面(81)和在载体(3)上的设置用于产生辐射的有源区域(20);

b)提供光学载体件(49),所述光学载体件具有第二边界面(82);

c)在所述第一边界面与所述第二边界面之间制造直接键合连接(6);

d)分隔形成多个所述发射辐射的半导体元件(1),其中,所述发射辐射的半导体元件各自具有所述载体的、所述半导体层序列的和所述光学载体件的一部分。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,在步骤d)中将所述光学载体件与所述载体隔开。

11.根据权利要求9或10所述的方法,其中,在步骤c)之前化学机械研磨所述第一边界面和/或所述第二边界面。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,在所述半导体层序列上设置触点(5),其中,所述触点在步骤c)中由所述光学载体件覆盖并且在步骤c)之后显露出来。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法,其中,在所述半导体层序列上设置触点(5)和覆盖所述触点的键合辅助层(61),并且在步骤c)之前化学机械研磨所述键合辅助层。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法,其中,在步骤c)之后形成所述光学载体件的背离所述载体的辐射出射面(40)。

15.根据权利要求9至13中任一项所述的方法,其中,所述光学载体件在步骤c)之前具有多个光学元件(4)。

16.根据权利要求9至15中任一项所述的方法,其中,制造根据权利要求1至8中任一项所述的发射辐射的半导体元件(1)。

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