[发明专利]晶圆的双面研磨方法

说明书

本发明提供能够抑制是研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均的晶圆的双面研磨方法。本发明的晶圆的双面研磨方法的特征在于，在现批次具有测定研磨前的晶圆的中心厚度的工序(S100)、从既定的范围设定目标GBIR值的工序(S110)、基于下述(1)式算出现批次的研磨时间的工序(S120)、以该算出的研磨时间将晶圆的双面研磨的工序(S130)。(1)式为，现批次的研磨时间＝前批次的研磨时间＋Asubgt;1/subgt;×(前批次的研磨前的晶圆的中心厚度‑现批次的研磨前的晶圆的中心厚度)＋Asubgt;2/subgt;×(前批次的研磨后的晶圆的GBIR值‑目标GBIR值)＋Asubgt;3/subgt;，其中，Asubgt;1/subgt;、Asubgt;2/subgt;及Asubgt;3/subgt;为既定的系数。

技术领域

本发明涉及晶圆的双面研磨方法。

背景技术

用于半导体设备的晶圆的制造中，为了得到具有高平坦性的晶圆，进行借助具有研磨垫的上下平台夹持晶圆来将其正反面同时研磨的双面研磨。晶圆所要求的形状根据其用途而有各种各样的，根据各自的用途设定晶圆的研磨量的目标值，需要准确地控制其研磨量。特别地，为了提高大规模集成电路的集成度，晶圆的平坦性是重要的要素之一，所以需要适当地控制晶圆的形状。

专利文献1中记载了根据以下的方法控制晶圆的研磨量的技术。即，若双面研磨开始，则每次载板旋转，上平台及下平台的中心与晶圆的中心的距离都周期性地变化。在载板的驱动机构、上平台、或下平台的转矩中，存在与该距离的周期性的变化同步地变化的转矩成分，该转矩成分的振幅随着研磨进行而减少。因此，测定载板的驱动机构、上平台及下平台的转矩的至少一个的转矩，基于由上述距离的周期性的变化引起的转矩成分的振幅的变化，控制晶圆的研磨量。

专利文献1：国际公开第2014-2467号。

在专利文献1中，基于驱动机构等的转矩成分的振幅的变化，控制特定的批次的晶圆的研磨量。但是，根据本发明的多位发明人的研究，发现专利文献1的方法中，由于随着分批处理的次数的增加的载板、研磨垫的磨损、或者基于冲洗水的混入等的研磨浆料的浓度变化等，研磨后的晶圆的GBIR值在批次间不均，有偏离晶圆的规格的范围的情况。

发明内容

因此，本发明鉴于上述问题，目的在于提供能够抑制研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均的晶圆的双面研磨方法。

本发明的多位发明人为了解决上述问题而进行深入研究，发现不仅研磨量，若基于以下定义的(1)式控制研磨时间，则能够抑制研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均，完成本发明。

现批次的研磨时间＝前批次的研磨时间＋A₁×(前批次的研磨前的晶圆的中心厚度-现批次的研磨前的晶圆的中心厚度)＋A₂×(前批次的研磨后的晶圆的GBIR值-目标GBIR值)＋A₃・・・(1)

其中，A₁、A₂及A₃是既定的系数。

本发明是基于上述发现完成的，其主旨方案如下所述。

[1]一种晶圆的双面研磨方法，前述晶圆的双面研磨方法使用分批处理方式的晶圆的双面研磨装置，前述双面研磨装置具备旋转平台、恒星齿轮、内齿轮、载板，前述旋转平台具有上平台及下平台，前述恒星齿轮设置于前述旋转平台的中心部，前述内齿轮设置于前述旋转平台的外周部，前述载板设置于前述上平台与前述下平台之间，具有保持晶圆的一个以上的保持孔，前述双面研磨装置在前述上平台的下表面及前述下平台的上表面分别贴有研磨垫，其特征在于，

现批次中，具有测定研磨前的前述晶圆的中心厚度的工序、从既定的范围设定目标GBIR值的工序、基于下述式1算出前述现批次的研磨时间的工序、向前述研磨垫上供给研磨浆料的同时使前述旋转平台与前述载板相对旋转来以算出的前述现批次的研磨时间研磨前述晶圆的双面的工序，