[发明专利]电解电容器及其制造方法有效
申请号: | 201880062436.X | 申请日: | 2018-10-02 |
公开(公告)号: | CN111133542B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 小关良弥;长原和宏;町田健治 | 申请(专利权)人: | 日本贵弥功株式会社 |
主分类号: | H01G9/025 | 分类号: | H01G9/025;H01G9/00;H01G9/055;H01G9/145;H01G9/15;H01G11/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张毅群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种电解电容器,其特征在于,具备:
阴极,其具有导电性基体、和设置在该导电性基体的表面的导电性高分子层;
阳极,其具有由阀金属构成的基体、和设置在该基体的表面的由所述阀金属的氧化物构成的介电层,该介电层与所述阴极的导电性高分子层按照隔开空间且相对的方式配置;和
离子传导性电解质,其填充于所述空间且不具有电子传导性,
所述导电性基体包含:
铝箔,其具备氧化铝覆膜;和
无机导电层,其设置在所述氧化铝覆膜的表面且包含无机导电性材料,
所述无机导电层与所述铝箔导通,
所述无机导电性材料为选自碳、钛、氮化钛、碳化钛及镍中的至少1种材料,
所述导电性高分子层设置在所述无机导电层的表面,
所述阴极中的导电性基体与导电性高分子层的接触电阻为1Ωcm2以下,
通过对所述阳极与所述阴极之间施加电压,由此与所述离子传导性电解质接触的所述阴极的导电性高分子层表现氧化还原电容。
2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,
所述阴极中的导电性基体与导电性高分子层的接触电阻为0.06Ωcm2以下。
3.一种电解电容器的制造方法,其特征在于,包含:
阴极形成工序,在导电性基体的表面形成导电性高分子层,得到用于所述电解电容器的阴极;
阳极形成工序,将由阀金属构成的基体的表面氧化而形成由所述阀金属的氧化物构成的介电层,得到用于所述电解电容器的阳极;及
电解质填充工序,使所述阴极的导电性高分子层与所述阳极的介电层隔开空间且相对,在所述空间填充不具有电子传导性的离子传导性电解质,
所述导电性基体包含:
铝箔,其具备氧化铝覆膜;和
无机导电层,其设置在所述氧化铝覆膜的表面且包含无机导电性材料,
所述无机导电层与所述铝箔导通,
所述无机导电性材料为选自碳、钛、氮化钛、碳化钛及镍中的至少1种材料,
在所述阴极形成工序中,以所述导电性基体与导电性高分子层的接触电阻为1Ωcm2以下的方式在所述无机导电层的表面形成所述导电性高分子层,以使得与所述离子传导性电解质接触的所述导电性高分子层通过对所述阳极与所述阴极之间施加电压由此表现氧化还原电容。
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