[发明专利]编程验证后通过修改两层堆叠体中接口处字线电压来减少编程干扰

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

布置在NAND串中的多个存储器单元，所述多个存储器单元包括间隔开第一距离的第一存储器单元和间隔开第二距离的第二存储器单元，所述第二距离大于所述第一距离；以及

控制电路，所述控制电路被配置为在向所述第一存储器单元和向所述第二存储器单元施加通过电压的同时感测所述NAND串中选定的存储器单元的导电状态，并且在感测到所述选定的存储器单元的所述导电状态之后，并且当满足一个或多个条件时，完成将所述第一存储器单元的电压从所述通过电压减小到稳态电压，之后完成将所述第二存储器单元的电压从所述通过电压减小到所述稳态电压，其中所述一个或多个条件包括所述选定的存储器单元在所述NAND串中的指定位置范围内。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

为了完成所述减小所述第二存储器单元的所述电压，所述控制电路被配置为将所述第二存储器单元的所述电压从所述通过电压减小到中间电压，将所述第二存储器单元的所述电压保持在所述中间电压处达时间段，并且将所述第二存储器单元的所述电压从所述中间电压减小到所述稳态电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中：

为了完成所述减小所述第一存储器单元的所述电压，所述控制电路被配置为将所述第一存储器单元的所述电压从所述通过电压连续减小到所述稳态电压。

4.根据权利要求2或3所述的存储器装置，其中：

所述NAND串具有源极端和漏极端；并且

当所述选定的存储器单元更靠近所述源极端时，所述时间段更长。

5.根据权利要求2至3中任一项所述的存储器装置，其中：

所述NAND串具有源极端和漏极端；并且

当所述选定的存储器单元更靠近所述源极端时，所述中间电压的大小更大。

6.根据权利要求2至3中任一项所述的存储器装置，其中：

对所述选定的存储器单元的所述导电状态的所述感测发生在编程循环序列内的一个编程循环中的验证测试中；并且

当所述编程循环在所述编程循环序列中靠后时，所述时间段更长。

7.根据权利要求2至3中任一项所述的存储器装置，其中：

对所述选定的存储器单元的所述导电状态的所述感测发生在编程循环序列内的一个编程循环中的验证测试中；并且

当所述编程循环在所述编程循环序列中靠后时，所述中间电压的大小更大。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器装置，其中：

对所述选定的存储器单元的所述导电状态的所述感测发生在编程循环序列内的一个编程循环中的验证测试中；并且

所述一个或多个条件包括完成所述编程循环序列中指定数量的一个或多个编程循环。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器装置，其中：

为了完成所述减小所述第二存储器单元的所述电压，所述控制电路被配置为在开始从所述通过电压减小所述第一存储器单元的所述电压之后，开始从所述通过电压减小所述第二存储器单元的所述电压。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器装置，其中：

为了完成所述减小所述第二存储器单元的所述电压，所述控制电路被配置为以比从所述通过电压减小所述第一存储器单元的所述电压的速率更低的速率从所述通过电压减小所述第二存储器单元的所述电压。