[发明专利]具有干扰模式的抑制的MEMS设备以及相应的运行方法在审
申请号: | 201880062686.3 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN111183112A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | R·诺伊;A·拉斯尔;P·德根费尔德-舍恩堡;N·F·库尔曼;F·沙茨;N·博德;M·屈内尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;G01C19/5733 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 干扰 模式 抑制 mems 设备 以及 相应 运行 方法 | ||
1.MEMS设备,该MEMS设备具有:
能振动的微机械系统(100),该能振动的微机械系统能够以多个使用模式激励;
其中,所述能振动的微机械系统(100)具有至少一个系统部件(1;1a;1b),该系统部件由于所述使用模式的叠加而能够以至少一个寄生干扰模式激励;
补偿装置(50-56),所述补偿装置构型成,使得所述补偿装置通过将电磁相互作用(W)施加到所述系统部件(1;1a;1b)上来抵抗与所述寄生干扰模式的叠加。
2.根据权利要求1所述的MEMS设备,其中,所述补偿装置(50-56)具有用于产生直流电压的直流电压产生装置(30)和一个或多个电极(31、32;31‘、32‘;31“;31“‘、32“‘),所述电极构型成,使得通过所述电极(31、32;31‘、32‘;31“;31“‘、32“‘)能够将静电场施加到所述系统部件(1;1a;1b)上。
3.根据权利要求2所述的MEMS设备,其中,所述直流电压产生装置(30)是能控制的、能调节的或能设定的。
4.根据权利要求1所述的MEMS设备,其中,所述补偿装置(50-56)具有用于产生交流电压的交流电压产生装置(40)和一个或多个电极(31、32;31‘、32‘;31“;31“‘、32“‘),所述电极构型成,使得通过所述电极(31、32;31‘、32‘;31“;31“‘、32“‘)能够将电动力场施加到所述系统部件(1;1a;1b)上。
5.根据权利要求4所述的MEMS设备,其中,所述交流电压产生装置(40)是能控制的、能调节的或能设定的。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的MEMS设备,其中,所述电极(31、32;31‘、32‘)垂直于所述系统部件(1;1a;1b)的振动方向(SR)地布置。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的MEMS设备,其中,所述电极(31“;31“‘、32“‘)平行于所述系统部件(1;1a;1b)的振动方向(SR)地布置。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的MEMS设备,其中,所述系统部件(1;1a;1b)具有一个或多个对应电极(S1、S2;32“‘),所述对应电极与所述电极(31“;31“‘、32“‘)相互作用。
9.根据权利要求4所述的MEMS设备,其中,所述对应电极(32“)模制到所述系统部件(1;1a;1b)上。
10.根据权利要求4所述的MEMS设备,其中,所述对应电极(S1、S2)作为涂层施加到所述系统部件(1;1a;1b)上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS设备,其中,所述系统部件(1;1a;1b)是弹簧装置(1a)或梁装置(1b)。
12.根据权利要求3至5中任一项所述的MEMS设备,其中,所述直流电压产生装置(30)和/或所述交流电压产生装置(40)能够与所述系统部件(1;1a;1b)的振动偏移或振动速度成比例地控制。
13.用于具有能振动的微机械系统(100)的MEMS设备的运行方法,该能振动的微机械系统能够以多个使用模式激励,其中,所述能振动的微机械系统(100)具有至少一个系统部件(1;1a;1b),该系统部件由于所述使用模式的叠加而能够以至少一个寄生干扰模式激励,所述运行方法具有以下步骤:
借助于补偿装置(50-56)调整所述系统部件(1;1a;1b)的共振频率,所述补偿装置构型成,使得所述补偿装置通过将电磁相互作用(W)施加到所述系统部件(1;1a;1b)上来抵抗与至少一个寄生干扰模式的叠加。
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