[发明专利]处理头、处理系统以及处理基板的局部表面区域的方法

权利要求书

1.一种处理基板的表面区域的处理头，所述处理头包括：

壳体，具有主表面，所述主表面被配置成邻近欲被处理的所述基板的所述表面区域设置且面对所述基板的所述表面区域；

排放开口，位于所述壳体的所述主表面中，所述排放开口能够经由至少部分地形成于所述壳体中的排放气体路径连接至排放装置；

辐射式加热器，设置于所述壳体中以经由所述主表面中的辐射开口发出热量辐射；

等离子源，设置于所述壳体中以经由所述主表面中的等离子离开开口发出等离子射流；以及

出口开口，位于所述壳体的所述主表面中，所述出口开口能够经由至少部分地形成于所述壳体中的气体路径连接至气体源，

其中所述排放开口的中心、所述辐射开口的中心、所述等离子离开开口的中心及所述出口开口的中心沿所述主表面的第一方向以上述次序排列。

2.根据权利要求1所述的处理头，其中所述排放开口、所述辐射开口、所述等离子离开开口及所述出口开口各自具有位于所述主表面的所述第一方向上的宽度及位于所述主表面的第二方向上的长度，其中所述第二方向垂直于所述第一方向，其中所述排放开口、所述辐射开口、所述等离子离开开口以及所述出口开口具有的所述长度大于各自具有的所述宽度，且其中所述排放开口、所述辐射开口、所述等离子离开开口及所述出口开口具有的所述长度被定义为其各自在所述第二方向上的外侧端部之间的距离，且所述排放开口、所述辐射开口、所述等离子离开开口及所述出口开口具有的所述宽度被定义为其各自在所述第一方向上的外侧端部之间的距离。

3.根据权利要求2所述的处理头，其中所述排放开口及所述出口开口中的至少一者是由彼此邻近地排列的多个开口形成。

4.根据权利要求2所述的处理头，其中所述排放开口及所述出口开口各自具有的所述长度较所述等离子离开开口具有的所述长度长。

5.根据权利要求2所述的处理头，其中至少所述排放开口的中心区段、所述辐射开口的中心区段、所述等离子离开开口的中心区段及所述出口开口的中心区段在所述第二方向上彼此平行地延伸，所述中心区段具有的长度与所述等离子离开开口具有的所述长度对应。

6.根据权利要求1所述的处理头，其中所述排放开口及所述出口开口中的至少一者在所述第一方向上与所述辐射开口及所述等离子离开开口中的至少一者至少部分地交迭。

7.根据权利要求1所述的处理头，其中所述排放开口及所述出口开口中的至少一者具有U形状、V形状或其组合。

8.根据权利要求1所述的处理头，其中所述壳体的所述主表面实质上是平坦的。

9.根据权利要求1所述的处理头，其中所述壳体的所述主表面具有的表面轮廓实质上与所述基板的所述表面区域的表面轮廓匹配。

10.根据权利要求1所述的处理头，其中所述辐射式加热器及所述辐射开口被排列成使离开所述辐射开口的辐射的至少一部分在所述等离子离开开口的方向上倾斜。

11.根据权利要求1所述的处理头，其中所述处理头的所述主表面在与所述第一方向垂直的方向上具有延伸部，所述延伸部大于欲被清洁的所述表面区域的在与所述第一方向垂直的方向上的延伸部。

12.根据权利要求1所述的处理头，其中所述处理头被配置成对所述基板的所述表面区域进行清洁，其中所述辐射式加热器及所述等离子源被配置成局部地提供充分的热量及等离子能量，以自欲被清洁的所述表面区域上欲移除的任何物质分解。