[发明专利]制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制

权利要求书

1.一种用于在等离子体处理系统中产生等离子体的设备，包括：

上电极，其包括内部上电极和围绕内部上电极的外周的外部上电极，其中，所述内部上电极包括处理气体入口并包括电极板；

三个或更多个局部结构的阵列，其被布置在所述电极板的外周中，其中所述内部上电极包括三个或更多个局部结构的阵列；以及

电源，其通过至少一个上电感回路和传输线耦合到所述局部结构的阵列，每个局部结构具有用于产生空间可控的等离子体的谐振频率，

其中，每个局部结构包括：第一电容分量和第二电容分量以及相应的两个下半圆电感回路，其中，所述第一电容分量和所述第二电容分量每个都具有耦合到所述传输线的两个顶板和两个底板，所述第一电容分量的底板和所述第二电容分量的底板各自连接到所述两个下半圆电感回路的相应端，其中，所述两个下半圆电感回路电耦合，

其中，所述两个下半圆电感回路与所述第一电容分量和所述第二电容分量形成谐振电路，并且被配置为闭合电路，使得存储的能量在谐振频率下在所述第一电容分量和所述第二电容分量与所述两个下半圆电感回路之间交换，

其中，所述两个下半圆电感回路是两个半圆板；以及

其中，所述电源被配置成为所述谐振电路供电以产生等离子体。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述电源被电容耦合至所述局部结构的阵列。

3.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一电容分量的顶板和底板沿向内方向折叠，所述第二电容分量的顶板和底板沿向内方向折叠，其中，向内方向使得所述第一电容分量的顶板的折叠方向朝向所述第二电容分量的顶板的折叠方向。

4.如权利要求1所述的设备，其中，所述局部结构的阵列的每个局部结构的下半圆电感回路具有相同的尺寸，并且所述局部结构的阵列的每个局部结构的电容分量具有相同的尺寸。

5.如权利要求1所述的设备，其中，所述局部结构的阵列中的一个或多个局部结构的下半圆电感回路具有相同的尺寸，并且所述局部结构的阵列中的一个或多个局部结构的电容分量具有相同的尺寸。

6.如权利要求1所述的设备，其中，所述局部结构的阵列被封装在陶瓷中。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述陶瓷是氧化铝。

8.如权利要求1所述的设备，还包括：与所述局部结构的阵列相对或相邻安置的衬底卡盘。

9.如权利要求1所述的设备，还包括：安置在所述设备中的衬底卡盘，其中所述局部结构的阵列围绕所述衬底卡盘安置。

10.如权利要求1所述的设备，其中，所述谐振频率为2GHz至8GHz。

11.如权利要求1所述的设备，其中，所述谐振频率为100MHz至15GHz。

12.如权利要求1所述的设备，其中，所述局部结构的阵列中的电容分量和下半圆电感回路中的每一个的宽度为4mm至8mm。

13.如权利要求1所述的设备，其中，所述局部结构的阵列中的每一个局部结构彼此间隔10mm。

14.如权利要求1所述的设备，还包括：在所述局部结构的阵列中的每一个局部结构中包括的局部气体源，其中，气体在所述局部气体源中的每一个处引入并由所述局部结构的阵列中的每一个局部结构激发。

15.如权利要求14所述的设备，其中，所述局部气体源中的每一个包括防护装置，以防止所述局部结构内的意外点火。