[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法有效
| 申请号： | 201880063344.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111149192B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J133/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工件 工用 加工 制造 方法 | ||
1.一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，
所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，
在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上且29原子％以下。
2.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述粘着剂层的厚度为1.5μm以上且小于50μm。
3.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的水接触角为50°以上且80°以下。
4.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，将所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F1，并将使所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F2时，由下述式(1)计算的粘着力的减小率为20％以上且50％以下，
粘着力的减小率(％)＝{(F1-F2)/F1}×100···(1)。
5.根据权利要求4所述的工件加工用片，其特征在于，所述粘着力F1为1000mN/25mm以上且10000mN/25mm以下。
6.根据权利要求4所述的工件加工用片，其特征在于，所述粘着力F2为900mN/25mm以上且8000mN/25mm以下。
7.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述活性能量射线固化性粘着剂由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物形成，所述丙烯酸类共聚物包含选自丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯及(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯中的至少一种作为构成聚合物的单体单元。
8.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，其为切割片。
9.一种已加工工件的制造方法，其特征在于，其具备：
将权利要求1～8中任一项所述的工件加工用片的所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面与工件贴合的贴合工序；
通过在所述工件加工用片上加工所述工件，从而得到层叠在所述工件加工用片上的已加工工件的加工工序；
对所述粘着剂层照射活性能量射线，使所述粘着剂层固化，从而降低所述工件加工用片对所述已加工工件的粘着力的照射工序；及
从活性能量射线照射后的所述工件加工用片上分离所述已加工工件的分离工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
