[发明专利]光致变装置

权利要求书

1.一种方法，其包含以下步骤：

在第一导体图案上形成绝缘体；

图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让所述第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；

在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；

在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓，让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；

在所述第二导体图案上形成半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及

在所述半导体上沉积第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。

2.根据权利要求1所述的方法，其包含以下步骤：

在所述第二导体图案上形成第一电荷注入层；

在所述第一电荷注入层上形成所述半导体；及

在所述半导体上形成第二电荷注入层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：

借由非共形沉积技术以填塞层来覆盖所述第二导体图案；

辐射式地改变所述填塞层在选定区域中于第一溶剂中的可溶性，以在所述填塞层中生成可溶性图案；及

接着使用所述第一溶剂使所述可溶性图案显影，以在所述填塞层中生成实体图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光，且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低材料的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的负型辐射影像曝光。

5.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述绝缘体的步骤包含：使所述绝缘体在降低所述绝缘体的可溶性的波长下对所欲绝缘体图案的正型辐射影像曝光；且其中辐射式地改变所述填塞层在所述第一溶剂中的可溶性的步骤包含：使所述填塞层在降低所述填塞层的可溶性的波长下对所述所欲绝缘体图案的修改的负型辐射影像曝光，其中所述所欲绝缘体图案的所述修改包含增大直径的穿孔区域。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：借由非共形沉积技术以填塞层覆盖所述第二导体图案；及使所述填塞层暴露于蚀刻处理，其以较蚀刻所述第二导体图案更快的速率来蚀刻所述填塞层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌轮廓的步骤包含：以填塞层覆盖所述第二导体图案；在所述填塞层上形成图案化蚀刻屏蔽；及透过所述图案化蚀刻屏蔽来蚀刻所述填塞层。

8.根据权利要求3至7中任一权利要求所述的方法，其中所述填塞层包含一绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘体亦包含所述绝缘材料。

10.一种装置，其包含：

位在第一导体图案上的绝缘体图案，其中所述绝缘体图案在一或多个穿孔区域中暴露出所述第一导体图案；

位在所述绝缘体图案上的第二导体图案，其中第二导体图案在所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；

位在所述第二导体图案上且在所述一或多个穿孔区域中生成较为平坦的形貌表面轮廓的填塞图案，其让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域之外侧暴露出来；

位在所述填塞图案上且在所述第二导体图案上的半导体，用于所述第二导体图案与所述半导体之间的电荷载子传输；及

位在所述半导体上的第三导体，用于所述第三导体与所述半导体之间的电荷载子传输。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述填塞图案包含绝缘材料。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述绝缘体亦包含所述绝缘材料。