[发明专利]在冗余存储器中执行行敲击刷新操作的系统和方法

说明书

引导逻辑电路系统包含位翻转逻辑，所述位翻转逻辑确定与存储体的冗余字线邻近的第一相邻冗余字线，所述存储体还包含常规字线。冗余字线包含主字线，每条主字线都包含成对字线。每条成对字线包含两条冗余字线。引导逻辑电路系统还包含边界确定逻辑，所述边界确定逻辑确定冗余字线是否在冗余字线与存储体的一端或常规字线之间的边界上。引导逻辑电路系统进一步包含：主字线引导逻辑，所述主字线引导逻辑确定其中设置有与冗余字线邻近的第二相邻冗余字线的相邻主字线；和成对字线引导逻辑，所述成对字线引导逻辑确定其中设置有第二相邻冗余字线的相邻成对字线。

技术领域

本公开的实施例总体上涉及半导体装置领域。更具体地，本公开的实施例涉及在冗余存储器中执行行敲击刷新操作。

背景技术

诸如动态随机存取存储器(DRAM)之类的半导体存储器装置可以将数据作为位存储在使用电容器和晶体管实施的存储器单元中。例如，电容器的充电状态(例如，充电或放电)可以确定存储器单元是将“1”还是“0”存储为二进制值。可以将大量存储器单元与附加逻辑一起封装到半导体存储器装置中，所述附加逻辑例如使得能够向存储器单元读取数据，从所述存储器单元写入数据以及刷新在所述存储器单元中的数据。

存储器单元可以被组织为行和列，并且每个存储器单元都可以经由包含行地址和列地址的存储器地址来访问，所述行地址和所述列地址由行地址解码器和列地址解码器处理。在经由行地址选择或激活行或字线以进行读操作之后，行中的所有存储器单元的位都被转移到形成行缓冲器的读出放大器中，然后经由列地址从所述读出放大器选择位。因为读操作将存储器单元电荷转移到行缓冲器中，所以可以重写存储器单元以保留其值(例如，在读操作之前)。写操作以类似方式对地址进行解码，所有行都被重写以改变存储器单元的一位。

然而，由于使用具有自然放电速率的电容器，因此存储器单元可能随时间丢失其状态(例如，存储的数据位)。为了防止这种状态丢失，可以周期性地重写存储器单元，过程被称为刷新。而且，存储器单元可能容易受到存储数据的随机变化的影响，所述随机变化被称为软存储器错误，并且可能归因于宇宙射线和其它原因。存在抵消软存储器错误并提高DRAM的可靠性的不同技术，其中最常使用的是纠错码(ECC)存储器及其高级变型(诸如锁步存储器)。

半导体存储器装置的密度的增加已经导致能够存储较小电荷的物理上较小的存储器单元，从而导致操作噪声容限降低，存储器单元之间的电磁相互作用的速率增加以及数据丢失的可能性增加。结果，已经观察到干扰错误，所述干扰错误是由于存储器单元干扰彼此的操作而引起的，并且表现为受影响的存储器单元中存储的位的值的随机变化。特别地，高密度存储器单元中频繁的行或字线激活(例如，在“攻击者”字线中)可能会引起相关联的字线选择线上的电压波动，这可能引发属于附近或邻近字线(例如，“受害者”字线)的电容器的放电速率高于自然放电速率。如果受影响的存储器单元在其丢失太多电荷之前没有刷新，则可能会发生这些干扰错误。这种效应称为“行敲击效应”。

使刷新受害者字线的执行复杂化是在将受害者字线重定位到冗余字线时对其进行定位。半导体存储器装置可以包含当常规字线出现故障(例如，无法正确存储数据位)时用于将数据位重定位在“常规”或非冗余存储器字线中的冗余行或字线。在一些存储器装置中，可以与常规字线不同的方式对冗余字线进行寻址。同样地，刷新存储来自与冗余字线以不同方式寻址的常规字线的重定位数据的冗余字线可以采用与刷新常规存储器字线不同的程序。

通常，攻击者字线地址可以递增和递减以确定相邻受害者字线地址，并且(存储器装置中的熔丝逻辑的)转译逻辑可以用于将相邻受害者字线地址转译为任何相关联的冗余存储器字线地址。然而，转译逻辑可能会占用存储器装置中非期望量的空间并且增加存储器装置的整体尺寸。而且，可能存在如下情况：攻击者字线已经被重定位到冗余存储器字线，但是相邻常规字线没有被重定位到攻击者字线。同样地，通常行敲击刷新操作可以刷新相邻常规字线，但是不刷新相邻冗余字线，因此不能有效地解决行敲击效应。

本公开的实施例可以针对以上提出的一个或多个问题。

附图说明