[发明专利]用于非易失性存储设备的自适应编程电压

权利要求书

1.一种存储芯片，包括：

一组非易失性存储单元，被布置成多个字线，其中单元的子集被配置为存储编程设置；和

芯片上控制器，被配置为：

从单元的所述子集读取所述编程设置；

使用所述编程设置将数据写入非易失性存储单元；

确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程；和

响应于确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程，将修改后的编程设置存储在所述子集的非易失性存储单元中。

2.根据权利要求1所述的存储芯片，其中：

所述编程设置指示第一编程电压；

所述芯片上控制器进一步被配置为通过经由非易失性存储单元以第一编程电压发送单个脉冲来将数据写入非易失性存储单元；并且

所述修改后的编程设置指示低于所述第一编程电压的第二编程电压。

3.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器进一步被配置为将所述修改后的编程设置存储在所述子集的非易失性存储单元中，而无需首先从所述子集中擦除编程设置。

4.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述多个字线包括：

伪字线，包括两个或更多个备用列，所述两个或更多个备用列包括单元的所述子集；和

多个数据字线，与所述伪字线分开，所述多个数据字线被配置为存储数据。

5.根据权利要求4所述的存储芯片，其中，单元的所述子集定位于所述伪字线的驱动器附近。

6.根据权利要求1所述的存储芯片，其中：

非易失性存储单元被布置成多个块，包括：

第一块，包括所述多个字线；和

第二块，包括第二多个字线；并且

所述芯片上控制器还被配置为：

从所述第二多个字线的第二子集中读取第二编程设置；

使用所述第二编程设置将数据写入所述第二多个字线的非易失性存储单元；

确定所述第二编程设置导致对所述第二多个字线的一个或多个非易失性存储单元的次优编程；和

响应于确定所述第二编程设置导致对所述第二多个字线的一个或多个非易失性存储单元的次优编程，将修改后的第二编程设置存储在第二子集上。

7.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器还被配置为：

确定阈值电压在预确定范围内的单元的数目；和

确定阈值电压在所述预确定范围内的单元的数目是否满足一个或多个标准。

8.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器进一步被配置为响应于触发来确定编程设置导致对非易失性存储单元的数据次优编程，所述触发被配置为在对一个或多个字线执行随机数目的编程操作之后激活。

9.一种装置，包括：

设置成字线并连接到位线的一组非易失性存储单元，所述字线包括：

伪字线，被配置为存储编程电压标志；和

多个数据字线；

芯片上控制器，包括：

存储电路，被配置为：

使用与所述编程电压标志相关联的第一编程电压将用户数据存储在所述字线的非易失性存储单元中；

确定电路，被配置为确定所述第一编程电压导致所述非易失性存储单元的过度编程；

设置选择电路，被配置为响应于确定所述第一编程电压导致非易失性存储单元的过度编程，选择与所述第一编程电压不同的第二编程电压；和

更新电路，被配置为通过用与所述第二编程电压相关联的修改后的编程电压标志覆盖所述编程电压标志的至少一部分来在所述伪字线中存储所述修改后的编程电压标志。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，

所述存储电路进一步被配置为通过经由非易失性存储单元以所述第一编程电压发送单个脉冲来存储用户数据；以及

所述第二编程电压低于所述第一编程电压。