[发明专利]单晶硅的培育方法

权利要求书

1.一种单晶硅的培育方法，其为利用直拉单晶制造法培育高电阻率单晶硅的方法，所述培育方法的特征在于，

培育所述单晶硅时，

计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，

以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质，

基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的培育方法，其特征在于，

计算有助于所述目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值时，

利用欧文曲线计算所述掺杂剂浓度。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅的培育方法，其特征在于，

对于P型单晶，将培育的所述单晶硅的电阻率设为100Ωcm以上，对于N型单晶，将培育的所述单晶硅的电阻率设为33Ωcm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的单晶硅的培育方法，其特征在于，

当将所述轻元素杂质设为氧原子、碳原子及氮原子中的任意一种以上，并设定培育条件以控制所述轻元素杂质的浓度时，

且将培育所述单晶硅时的氧浓度设为[Oi]、将氮浓度设为[N]、将碳浓度设为[Cs]时，将起因于所述轻元素杂质的施主所造成的载流子浓度变化量估算为：

α×[Oi]⁴+β×[Cs]+γ×[N]×[Oi]³，

其中，α、β、γ为常数。

5.根据权利要求4所述的单晶硅的培育方法，其特征在于，

将氧浓度的单位设为atoms/cm³(ASTM’79)时，将所述α的值设为5×10^-59，

将碳浓度的单位设为atoms/cm³(New ASTM)时，将所述β的值设为5×10^-4，

将氮浓度的单位设为atoms/cm³时，将所述γ的值设为2×10^-56。