[发明专利]电流传感器组件在审
申请号: | 201880064043.2 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN111164433A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·布鲁施思;克劳迪娅·格兰斯柯 | 申请(专利权)人: | 森斯泰克有限责任公司 |
主分类号: | G01R15/20 | 分类号: | G01R15/20 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 薛诗文;王刚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流传感器 组件 | ||
1.一种电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),包括磁阻梯度传感器(12),所述磁阻梯度传感器(12)布置在电流导体(56)的两个导体部(14a、14b)之间,其特征在于,所述导体部(14a、14b)将电流划分并相对于所述磁阻梯度传感器(12)的布置沿相同的方向引导,并且所述导体部(14a、14b)相对于所述磁阻梯度传感器(12)的测量平面(20)在高度上偏移。
2.根据权利要求1所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,一个导体部(14b)被引导于所述测量平面(20)下方,并且一个导体部(14a)被引导于所述测量平面(20)上方。
3.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)具有相同的电流分量并且具有相对于所述测量平面(20)和所述磁阻梯度传感器(12)的相同的相对距离。
4.根据前述权利要求1和3中任一项所述的电流传感器组件(10,38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)具有不相同的电流分量和/或具有相对于所述测量平面(20)和所述磁阻梯度传感器(12)的不相同的相对距离,其中,所述不相同的电流分量和所述不相同的距离彼此补偿或者能够借助于校正系数或校正特征曲线采取电流测量值的校正。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述磁阻梯度传感器(12)布置在柔性PCB膜(18)上。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)相对于所述磁阻梯度传感器(12)的测量平面(20)对称地在高度上偏移,其中,一个导体部(14b)在所述测量平面(20)下方延伸,而一个导体部(14a)在所述测量平面(20)上方延伸。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)相对于所述磁阻梯度传感器(12)的测量平面(20)不对称地在高度上偏移,其中,一个导体部(14b)在所述测量平面(20)下方延伸,而一个导体部(14a)在所述测量平面(20)上方延伸。
8.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)位于共同的导体平面(22)中,并且所述磁阻梯度传感器(12)布置为相对于所述两个导体部(14a、14b)所位于的所述导体平面(22)成角度β(36),所述角度β(36)在0°至90°之间、特别是30°至60°之间、特别是45°角。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述两个导体部(14a、14b)由至少一根跨接线(24)和汇流排(26)形成,其中,所述跨接线(24)与所述汇流排(26)电接触。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器组件(10、38、40、42、44、46、48、50、52、58、59),其特征在于,所述导体部(14a、14b)采取冲压弯曲部分的形式,所述冲压弯曲部分具有槽(32),所述磁阻梯度传感器(12)布置在所述槽(32)中。
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