[发明专利]模塑成型用脱模膜及模塑成型法

权利要求书

1.模塑成型用脱模膜，其特征在于，其为模塑成型中使用的脱模膜，在基材膜上设置有由组合物(I)或组合物(II)形成的脱模层，

组合物(I)：含有包含碳原子数为8以上的烷基的化合物(a)、及交联剂(b)的组合物；

组合物(II)：含有包含碳原子数为8以上的烷基和烯键式不饱和基团的化合物(α)的组合物。

2.如权利要求1所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的交联剂(b)为三聚氰胺系交联剂。

3.如权利要求1或2所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的化合物(a)为聚乙烯基树脂或醇酸树脂。

4.如权利要求1所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(II)还含有包含2个以上烯键式不饱和基团的化合物(β)。

5.如权利要求1～4中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，脱模层的表面自由能为20～35mJ/m²。

6.如权利要求1～5中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，脱模层表面的中心线平均粗糙度Ra为100nm以上。

7.如权利要求1～6中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，基材膜于150℃沿长度方向(MD方向)及宽度方向(TD方向)伸长100％时的应力分别为60MPa以下。

8.模塑成型法，其为在模具内依次配置半导体元件或发光元件、密封材料及权利要求1～7中任一项所述的模塑成型用脱模膜、并将密封材料加热固化的模塑成型法，其中，以所述脱模膜的脱模层与密封材料相对的方式对所述脱模膜进行配置。

9.压缩模塑成型法，其为在模具内依次配置半导体元件或发光元件、密封材料及权利要求1～7中任一项所述的模塑成型用脱模膜、并进行加热加压的压缩模塑成型法，其中，以所述脱模膜的脱模层与密封材料相对的方式对所述脱模膜进行配置。