[发明专利]制造OLED器件的方法在审
申请号: | 201880064996.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN111149210A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | F.莫内斯杰;U.卡博夫斯基 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;闫小龙 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 oled 器件 方法 | ||
本发明描述了一种制造包括OLED(10)和集成负过电压保护二极管(11)的OLED器件(1)的方法,该方法至少包括以下步骤:在载体(12)上沉积第一OLED电极(100)和单独的第二OLED电极接触部(101C),该第二OLED电极接触部(101C)包含第一过电压保护二极管电极(110);沉积有机材料层堆叠(14),以限定OLED(10)的有源区(14OLED)和过电压保护二极管(11)的有源区(14OPD);沉积第二OLED电极(101),以在OLED(10)的有源区(14OLED)和第二OLED电极接触部(101C)上延伸;并且沉积第二过电压保护二极管电极(111),以在过电压保护二极管(11)的有源区(14OPD)和第一OLED电极(100)上延伸。
技术领域
本发明描述了一种制造OLED器件的方法,并且还描述了一种具有集成负过电压保护二极管的OLED器件。
背景技术
有机发光二极管正被更广泛地用于照明应用(诸如例如OLED面板)中。OLED通常通过以特定顺序在透明衬底或载体上沉积层来制造,使得有机材料层堆叠夹在电极之间,电极中的一个或两个可以是透明的。根据将使用的应用的性质,OLED器件可以构建在透明载体(诸如玻璃或塑料)上,并且可以例如具有几cm2或更大的面积。
通常,OLED器件必须安装或组装有附加元件,例如,它可能需要安装到灯具的一部分中。在组装过程期间或质量检查期间,即使当采取了预防措施时,OLED器件和带静电的部件之间也存在相当大的接触风险。随后通过OLED的静电放电(ESD)可以导致灾难性的器件故障,即OLED损坏到不能再工作的程度。
解决这个问题的常见方法是将负过电压保护二极管(诸如瞬态电压抑制二极管)连接到器件封装中的OLED,以提供免受这种负过电压的保护。在下文中,“负过电压保护二极管”可以简单地称为“过电压保护二极管”,并且可以假设这种过电压保护二极管用于保护免受不期望的负过电压。通常,过电压保护二极管,诸如表面安装部件,电连接到也承载OLED器件的印刷电路板,并且可以安装在OLED器件的电子驱动器和控制器附近。然而,这种方案经受各种缺点,例如附加分立部件的附加成本和附加工艺步骤的成本。此外,必须包括另一个分立部件也增加了整体封装尺寸。然而,这种方案的潜在更严重的缺点是,直到分立的过电压保护二极管电连接在具有OLED器件的电路中为止,OLED器件将不被保护免受过电压或ESD事件。尽可能早地为OLED器件提供ESD保护的需要可能使产线末端工艺显著更复杂和昂贵。
因此,本发明的目的是克服上述问题,以提供一种可靠地保护OLED器件在任何制造阶段期间免受过电压损坏的方法。
发明内容
本发明的目的通过权利要求1的制造OLED器件的方法和权利要求10的OLED器件来实现。
根据本发明,制造包括OLED和集成负过电压保护二极管的OLED器件的方法至少包括以下步骤:在载体上沉积第一OLED电极和单独的第二OLED电极接触部,该第二OLED电极接触部包含第一过电压保护二极管电极;沉积有机材料层堆叠以限定OLED的有源区和过电压保护二极管的有源区;沉积第二OLED电极,以在OLED的有源区和第二OLED电极接触部上延伸;以及沉积第二过电压保护二极管电极,以在过电压保护二极管的有源区和第一OLED电极上延伸。
本发明基于如下的见解,OLED的有机材料层堆叠是较差的横向导体,即只有可忽略的电流将在平行于层平面的方向上流动。相反,电流的方向基本上完全垂直于层平面,即从阳极到阴极。在本发明的方法中,有机材料层堆叠被沉积为单个层,并且因此同时限定了OLED的有源区以及过电压保护二极管的有源区。不是将过电压保护二极管视为需要连接到OLED的单独实体,而是本发明方法利用单向电流特性,并且将过电压保护二极管和OLED一起形成,从而减少图案化步骤和工艺步骤的数量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的