[发明专利]具有接地或以其它方式加偏压的通道停止接点的图像传感器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其包括：

第一像素，其包括第一掺杂硅区域，所述第一掺杂硅区域直接邻近于栅极氧化物和衬底并位于所述栅极氧化物和所述衬底之间，所述第一掺杂硅区域具有n型或p型的第一掺杂类型；

第二像素，其包括第二掺杂硅区域，所述第二掺杂硅区域直接邻近于所述栅极氧化物和所述衬底并位于所述栅极氧化物和所述衬底之间，所述第二掺杂硅区域具有所述第一掺杂类型；

通道停止层，其位于所述第一像素与所述第二像素之间以隔离所述第一像素与所述第二像素，所述通道停止层包括：

硅局部氧化LOCOS结构，及

第三掺杂硅区域，其在所述LOCOS结构下方；所述第三掺杂硅区域具有第二掺杂类型；当所述第一掺杂类型是n型时，所述第二掺杂类型是p型；当所述第一掺杂类型是p型时，所述第二掺杂类型是n型；及

第一导电接点，其延伸通过所述LOCOS结构且与所述第三掺杂硅区域形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述第一导电接点连接到接地。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其进一步包括电耦合到所述第一导电接点的电力供应器，其中所述电力供应器经配置以加负偏压于所述第一导电接点。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其进一步包括电耦合到所述第一导电接点的电力供应器，其中所述电力供应器经配置以加负偏压于及加正偏压于所述第一导电接点。

5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中：

所述第三掺杂硅区域是p++植入区域；且

所述第一及第二掺杂硅区域是n型。

6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其进一步包括：

第一像素列，其包含所述第一像素，其中所述第一像素列中的每一像素包括相应掺杂硅区域，所述相应掺杂硅区域直接邻近于所述栅极氧化物和所述衬底并位于所述栅极氧化物和所述衬底之间，且所述相应掺杂硅区域具有所述第一掺杂类型；及

第二像素列，其包含所述第二像素，其中所述第二像素列中的每一像素包括相应掺杂硅区域，所述相应掺杂硅区域直接邻近于所述栅极氧化物和所述衬底并位于所述栅极氧化物和所述衬底之间，且所述相应掺杂硅区域具有所述第一掺杂类型；

其中所述通道停止层位于所述第一像素列与所述第二像素列之间以隔离所述第一像素列与所述第二像素列。

7.根据权利要求6所述的背照式图像传感器，其进一步包括一系列导电接点，每一导电接点延伸通过所述LOCOS结构且与所述第三掺杂硅区域形成相应欧姆接触；

其中所述一系列导电接点包含所述第一导电接点。

8.根据权利要求6所述的背照式图像传感器，其中：

所述第一像素列及所述第二像素列中的所述像素包括相应多个栅极；

每一多个栅极的相应栅极待接收多个时钟信号的相应时钟信号；且

所述多个时钟信号中的每一时钟信号具有不同相位。

9.根据权利要求6所述的背照式图像传感器，其进一步包括：

金属段，其位于所述通道停止层上方，其中所述第一导电接点在所述金属段与所述第三掺杂硅区域之间；

导电多晶硅段，其位于所述通道停止层上方并与所述金属段重叠；及

第二导电接点，其在所述金属段与所述多晶硅段之间。

10.根据权利要求6所述的背照式图像传感器，其进一步包括位于所述通道停止层上方的导电多晶硅线，所述导电多晶硅线沿所述通道停止层延伸且与所述第一导电接点接触。

11.根据权利要求10所述的背照式图像传感器，其进一步包括：

金属线，其位于所述多晶硅线及所述通道停止层上方且沿所述多晶硅线及所述通道停止层延伸；及

一系列导电接点，其在所述金属线与所述多晶硅线之间。