[发明专利]具有预定启动值的存储器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括用于存储一个或多个数据值的多个存储器单元，所述方法包括：

在晶片上曝光图案，以产生用于所述半导体存储器件的多个存储器单元的结构，所述结构包括所述多个存储器单元的一个或多个共同特征，其中所述图案是在无掩模图案写入器中借助于一个或多个带电粒子束来曝光的；

在所述图案的曝光期间改变所述一个或多个带电粒子束的曝光剂量，以在所述存储器单元中的至少一个存储器单元的一个或多个结构中生成一个或多个非共同特征的集合，使得所述至少一个存储器单元的所述结构不同于所述半导体存储器件的其他存储器单元的对应结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体存储器件存储初始数据值，所述初始数据值是至少部分地由所述半导体存储器件的非共同特征的所述集合确定的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述半导体存储器件上电时，所述半导体存储器件在所述存储器单元中的一个或多个存储器单元中生成初始数据值，所述初始数据值是至少部分地由所述半导体存储器件的非共同特征的所述集合确定的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中除了所述曝光剂量变化，对于所述多个存储器单元中的每个存储器单元，在所述晶片上曝光的所述图案基本相同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中非共同特征的所述集合包括形成所述半导体存储器件的所述存储器单元之一的一部分的晶体管的栅极，并且其中在所述图案的曝光期间的所述一个或多个带电粒子束的所述曝光剂量的所述改变在不去除所述栅极的情况下，产生所述栅极的宽度和/或长度的变化。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中非共同特征的所述集合包括形成所述半导体存储器件的所述存储器单元之一的一部分的晶体管或二极管的有源区，并且其中在所述图案的曝光期间的所述一个或多个带电粒子束的所述曝光剂量的所述改变在覆盖所述有源区的抗蚀剂层中产生一个或多个开口，其中所述开口导致后续掺杂工艺中所述晶体管的所述有源区的N+或P+掺杂的变化。

7.根据权利要求6所述的方法，其中由于所述晶体管的所述有源区的所述N+或P+掺杂的所述变化，所述半导体存储器件的所述晶体管或二极管是不起作用的。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述剂量变化是从剂量调制图到用于准备用以控制所述带电粒子束的图案数据的设计布局相关数据的应用而得出的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述剂量调制图限定要在所述图案的预定义部分处施加的剂量的相对变化。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述剂量调制图限定要在所述图案的预定义部分处施加的绝对剂量。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述曝光剂量变化导致非共同特征的所述集合在所述特征的制造公差内的变化。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述半导体存储器件是SRAM或ROM。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括：将所述半导体存储器件并入封装中以形成半导体芯片。