[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其是磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的多层膜的蚀刻方法，

所述多层膜具有磁性隧道结层，该磁性隧道结层包含第1磁性层及第2磁性层、以及设置在该第1磁性层与该第2磁性层之间的隧道势垒层，

在该蚀刻方法中，使用具备腔室主体的等离子体处理装置，该腔室主体提供内部空间，

该蚀刻方法包括如下工序：

将所述被加工物容纳于所述内部空间中；

利用所述内部空间中所生成的第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻，所述第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢；以及

利用所述内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻，所述第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

所述第1气体还包含氧。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，

所述第1气体包含一氧化碳气体或二氧化碳气体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

利用第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻的所述工序与利用第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻的所述工序交替地反复执行。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其还包括如下工序：

在执行将所述被加工物容纳于所述内部空间中的所述工序之前，在所述内部空间中生成第3气体的等离子体，

所述第3气体含有包含碳的气体及稀有气体。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，

所述第3气体含有包含烃的气体作为包含所述碳的所述气体。

7.根据权利要求5或6所述的蚀刻方法，其还包括如下工序：

在通过执行利用第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻的所述工序及利用第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻的所述工序而将所述多层膜进行蚀刻之后，执行划分所述内部空间的表面的清洗。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其还包括如下工序：

在将所述多层膜进行蚀刻之后且执行清洗的所述工序之前，将所述被加工物从所述内部空间搬出。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第1磁性层及所述第2磁性层分别为CoFeB层，所述隧道势垒层为MgO层。