[发明专利]在高热条件下提高NAND性能有效
申请号: | 201880065782.3 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN111201571B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | S·A·琼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C16/04;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高热 条件下 提高 nand 性能 | ||
1.一种用于在高热条件下提高NAND装置的性能的系统,所述系统包括处理电路以:
获取所述NAND装置的高温热条件的指示符;响应于所述高温热条件来测量所述NAND装置的工作负荷,其中,为了测量所述工作负荷,通过命令队列中命令的预期能量消耗来测量所述命令队列,所述预期能量消耗根据分配给相应命令的能量预算来确定;以及基于所述工作负荷和所述高温热条件修改所述NAND装置的操作。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,为了修改所述NAND装置的操作,所述处理电路节流所述NAND装置的资源。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,为了节流所述NAND装置的所述资源,所述处理电路将所述NAND装置的组件断电。
4.根据权利要求3所述的系统,其中,所述NAND装置的所述组件是管芯。
5.根据权利要求2所述的系统,其中,为了基于所述工作负荷和所述高温热条件修改所述NAND装置的操作,所述处理电路将所述工作负荷与阈值进行比较,并且当所述工作负荷在所述阈值内时避免节流所述NAND装置的资源。
6.根据权利要求1所述的系统其中,为了测量所述命令队列,所述处理电路测量随时间的命令速率。
7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述能量预算是通过将所述能量预算中的命令的存储值与执行所述命令时消耗的能量的实际值进行比较来修改的值。
8.根据权利要求1所述的系统,其中,为了测量所述命令的所述预期能量消耗,所述处理电路测量能量消耗的速率。
9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述NAND装置包含控制器,并且其中,所述处理电路完全含有在所述控制器内。
10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述高温热条件是用于所述NAND装置的有序的热条件组中的一个,并且其中,所述热条件组中较高的次序对应于较大的节流程度。
11.一种用于在高热条件下提高NAND装置的性能的方法,所述方法包括:获取所述NAND装置的高温热条件的指示符;响应于所述高温热条件来测量所述NAND装置的工作负荷,所述测量包括通过测量命令队列中的命令的预期能量消耗来测量所述命令队列,所述预期能量消耗根据分配给相应命令的能量预算来确定;以及基于所述工作负荷和所述高温热条件修改所述NAND装置的操作。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,修改所述NAND装置的操作包含节流所述NAND装置的资源。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述节流所述NAND装置的所述资源包含将所述NAND装置的组件断电。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述NAND装置的所述组件是管芯。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,基于所述工作负荷和所述高温热条件修改所述NAND装置的操作包含将所述工作负荷与阈值进行比较,并且当所述工作负荷在所述阈值内时避免节流所述NAND装置的资源。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,测量所述命令队列包含测量随时间的命令速率。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,所述能量预算是通过将所述能量预算中的命令的存储值与执行所述命令时消耗的能量的实际值进行比较来修改的值。
18.根据权利要求11所述的方法,其中,测量所述命令的所述预期能量消耗包含测量能量消耗的速率。
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