[发明专利]差动放大器、像素电路及固体摄像装置

权利要求书

1.一种像素电路，其特征在于，

是具备具有第一输入端子、第二输入端子及输出端子的差动放大器、以及设置于所述差动放大器的所述第二输入端子与所述输出端子之间且对应于输入至所述第二输入端子的信号而蓄积电荷的积分电容部，自所述差动放大器的所述输出端子输出对应于所述积分电容部的电荷蓄积量的值的信号的像素电路，

所述差动放大器具备：

输入差动对，其包含第一导电类型的第一MOS晶体管及第二MOS晶体管，且所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的源极连接于共同节点，所述第一MOS晶体管的栅极连接于所述第一输入端子，所述第二MOS晶体管的栅极连接于所述第二输入端子；

电流镜对，其包含第二导电类型的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，且在所述第三MOS晶体管及所述第四MOS晶体管各自的源极输入第一基准电压，所述第三MOS晶体管的漏极连接于所述第一MOS晶体管的漏极，所述第四MOS晶体管的漏极连接于所述第二MOS晶体管的漏极及所述输出端子，所述第三MOS晶体管及所述第四MOS晶体管各自的栅极连接于所述第三MOS晶体管的漏极；及

定电流源，其包含第一导电类型的第五MOS晶体管，且在所述第五MOS晶体管的源极输入第二基准电压，所述第五MOS晶体管的漏极连接于所述共同节点，在所述第五MOS晶体管的栅极输入第三基准电压，

所述像素电路还具备：第一导电类型的第六MOS晶体管，其具有被输入自所述差动放大器的输出端子输出的信号的栅极，且构成源极随耦电路；及作为输出选择用的开关的第一导电类型的第七MOS晶体管，其与所述第六MOS晶体管串联连接，

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的阈值电压大于所述第五MOS晶体管的阈值电压，

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的阈值电压大于所述像素电路所包含的所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的阈值电压。

2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的栅极下的信道区域的杂质浓度高于所述第五MOS晶体管的栅极下的信道区域的杂质浓度。

3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，

在所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的栅极、与所述第五MOS晶体管的栅极之间，导电类型或杂质浓度彼此不同。

4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的栅极下的信道区域的杂质浓度高于所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的栅极下的信道区域的杂质浓度。

5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，

在所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管各自的栅极与所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的栅极之间，导电类型或杂质浓度彼此不同。

6.如权利要求1～5中任一项所述的像素电路，其特征在于，

所述第五MOS晶体管的阈值电压大于所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的阈值电压。

7.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，

所述第五MOS晶体管的栅极下的信道区域的杂质浓度高于所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的栅极下的信道区域的杂质浓度。

8.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，

在所述第五MOS晶体管的栅极与所述第六MOS晶体管及所述第七MOS晶体管的栅极之间，导电类型或杂质浓度彼此不同。

9.一种固体摄像装置，其特征在于，

具备权利要求1～8中任一项所述的像素电路、及光电二极管，

所述像素电路将自所述光电二极管对应于受光而输出的信号输入至所述差动放大器的所述第二输入端子，且自所述差动放大器的所述输出端子输出对应于受光量的值的输出信号。

10.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，

多个所述光电二极管形成于第一基板上，多个所述像素电路形成于第二基板上，且所述第一基板与所述第二基板相对配置。