[发明专利]多层量子点发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种量子点(QD)发光二极管(QLED)器件，包括：

有效发射区，所述有效发射区包括与(n-1)个量子势垒(QB)层交错的n个量子点层，使得每个量子势垒层都夹在两个相邻的量子点层之间，其中n是大于1的正整数。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其中每个量子点层包括硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)。

3.根据权利要求1或2所述的QLED器件，其中每个量子势垒层包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的QLED器件，其中n＝3。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的QLED器件，其中n＝5。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的QLED器件，其中2≤n≤6。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的QLED器件，其中每个量子点层的厚度大约是每个量子势垒层的厚度的八倍。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的QLED器件，其中每个量子点层的厚度大约为15纳米至35纳米，并且其中每个量子势垒层的厚度大约为1纳米至5纳米。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的QLED器件，其中每个量子点层的厚度大约为15纳米至35纳米，并且其中每个量子势垒层的厚度大约为2纳米至4纳米。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的QLED器件，还包括：

电子传输层(ETL)；和

空穴注入层(HIL)；

其中所述ETL和HIL将所述有效发射区夹在它们之间。

11.根据权利要求10所述的QLED器件，其中所述ETL包括合成的ZnO纳米晶体，并且所述HIL包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)。

12.根据权利要求10或11所述的QLED器件，还包括：

夹在所述有效发射区与所述HIL之间的空穴传输层(HTL)。

13.根据权利要求12所述的QLED器件，其中所述HTL包括聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的QLED器件，还包括：

耦合至所述ETL的阴极层；

耦合至所述HIL的阳极层；和

耦合至所述阳极层的透明基板。

15.根据权利要求14所述的QLED器件，其中所述阴极层包括银，并且所述阳极层是包括铟锡氧化物(ITO)的透明层。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的QLED器件，其中每个量子势垒层具有比每个量子点层高的导带。

17.根据权利要求16所述的QLED器件，其中每个量子势垒层的价带处的能量高于每个量子点层的价带处的能量。

18.根据权利要求1或2所述的QLED器件，其中每个量子势垒层包括PVK、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、或聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-联苯基联苯胺](Poly-TPD)。