[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片(100)的方法，所述方法具有如下步骤：

A)在腔(5)中提供表面(2)；

B)在所述腔(5)中提供至少一种有机的第一前驱体(3)和第二前驱体(4)，其中所述有机的第一前驱体(3)具有气态的III族化合物材料(3)，其中所述第二前驱体(4)具有气态的含磷的化合物材料(41)；

C)将所述第一前驱体和第二前驱体(3，4)在540℃和660℃之间、包含边界值的温度，和在30mbar和300mbar之间、包含边界值的压力下外延沉积到所述腔(5)中的所述表面(2)上，以形成第一层(12)，所述第一层具有磷化物化合物半导体材料(6)，其中所述第二前驱体和第一前驱体(3，4)之间的比例介于5和200之间，其中包含边界值，其中所产生的所述磷化物化合物半导体材料(6)掺杂有碳，其中碳掺杂浓度为至少4×10¹⁹cm^-3，并且其中在步骤C)之后进行没有第二前驱体(4)并且仅具有载气(7)的冷却步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤C)之后在所述腔(5)中进行至少所述磷化物化合物半导体材料(6)的冷却步骤，其中所述腔(5)不具有所述第二前驱体(4)。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤C)中使用氢气作为载气(7)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中附加地使用气态的有机的第三前驱体(8)CBr₄。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述第一层(12)具有5nm至200nm或50nm至500nm的层厚度，其中包含边界值。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤C)中，对于形成为p型接触层(9)的第一层(12)的温度在540℃和620℃之间，或者对于形成为p型电流扩展层(10)的第一层(12)的温度在560℃和660℃之间。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤C)中的压力在60mbar和70mbar之间。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中对于形成为p型接触层(9)的第一层(12)的所述碳掺杂浓度在5×10¹⁹cm^-3和1×10²¹cm^-3之间，或者对于形成为p型电流扩展层(10)的第一层(12)的所述碳掺杂浓度在4×10¹⁹cm^-3和3×10²⁰cm^-3之间。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述第二前驱体和第一前驱体(3，4)之间的比例介于5和150之间或者介于10和200之间，其中包含边界值。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述有机的第一前驱体(3)和/或所述III族化合物材料(31)是三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)或三甲基铝(TMAl)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述第二前驱体(4)和/或所述含磷的化合物材料(41)是磷化氢(PH₃)。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在步骤C)中的所述外延沉积是金属有机气相外延(MOVPE)。

13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述磷化物化合物半导体材料(6)是GaP或AlGaP。