[发明专利]基板处理装置

说明书

基板处理装置具有配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元。第一处理单元及第二处理单元分别具有：多个处理槽，该多个处理槽串联排列；隔壁，该隔壁划分出在多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；输送机构，该输送机构配置于输送空间，且在各处理槽之间沿着排列方向输送基板；以及导风管道，该导风管道在输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置。在导风管道连接有风扇过滤单元。在各处理槽连接有排气管道。在导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口。第一处理单元的输送空间和第二处理单元的输送空间被隔壁上下分离。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，特别涉及用于平坦地研磨半导体晶片等基板的基板处理装置。

背景技术

近年来，随着半导体器件的高集成化的发展，电路的布线变得微细化，布线间距离也变得更窄。在半导体器件的制造中，在硅晶片上以多种材料反复形成膜状，而形成层叠结构。为了形成该层叠结构，使晶片的表面平坦的技术变得重要。作为使这样的晶片的表面平坦化的一个手段，广泛使用进行化学机械研磨(CMP)的研磨装置(也称为化学机械研磨装置)。

该化学机械研磨(CMP)装置一般具备安装有研磨垫的研磨台、保持晶片的顶环和将研磨液供给到研磨垫上的喷嘴。一边从喷嘴向研磨垫上供给研磨液，一边通过顶环将晶片向研磨垫按压，进一步使顶环和研磨台相对移动，由此研磨晶片，使其表面平坦。

基板处理装置是除了这样的CMP装置之外，还具有清洗研磨后的晶片并进一步使其干燥的功能的装置。在日本特开2010-50436号公报中，为了实现高生产能力，提出了具有多个并列的清洗线以及将晶片分配给多个并列的清洗线中的任一个的输送机器人的清洗单元。在该清洗单元中，交替配置有多个清洗室和输送室，在各清洗室中沿上下方向排列有多个清洗槽，在各输送室中，输送机器人沿上下方向移动而能够接近多个清洗槽。

但是，在基板处理装置的清洗单元中，来自输送晶片的输送机构的发尘有可能成为缺陷源。因此，在以往的清洗单元中，在各输送室的上部设置有FFU(风扇过滤单元)，进行使来自FFU的向下气流从相邻的清洗室的各清洗槽排气的气流设计。

但是，在这样的清洗单元中，由于输送机器人在多个并列的清洗线之间沿上下方向移动，因此在清洗线之间产生气流差，由此，在一个清洗线中，与另一个清洗线相比，有可能不能充分排出缺陷源而产生工艺差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够实现高生产能力，并且抑制晶片的缺陷的基板处理装置。

本发明的基板处理装置具备：

配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元，

所述第一处理单元及所述第二处理单元分别具有：

多个处理槽，该多个处理槽串联排列；

隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；

输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及

导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，

在所述导风管道连接有风扇过滤单元，

在各处理槽连接有排气管道，

在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口。

所述第一处理单元的输送空间和所述第二处理单元的输送空间被所述隔壁上下分离。