[发明专利]真延时波束形成器模块及其制造方法有效
申请号: | 201880066411.7 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN111201668B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·艾尔弗雷德·伊恩诺蒂;克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01Q3/26 | 分类号: | H01Q3/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 延时 波束 形成 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种波束形成器模块,包括:
封装基座;
封装在所述封装基座中的至少一条真延时(TTD)曲折线和至少一条RF信号传输线;以及
第一TTD模块,附接到所述封装基座并且包括信号输入、信号输出、多条延时线以及多个开关元件,所述第一TTD模块的所述多个开关元件被配置为通过选择性地激活所述第一TTD模块的所述多条延时线来限定所述第一TTD模块的所述信号输入与所述信号输出之间的信号传输路径;
其中,所述第一TTD模块的至少一条延时线电耦接到封装在所述封装基座中的所述至少一条TTD曲折线;以及
其中,所述第一TTD模块的所述信号输入和所述信号输出电耦接到所述至少一条RF信号传输线。
2.根据权利要求1所述的波束形成器模块,还包括密封到所述封装基座的盖;并且
其中,所述第一TTD模块位于形成在所述封装基座与所述盖之间的密封腔内。
3.根据权利要求2所述的波束形成器模块,还包括:
高密度互连(HDI)电路,耦接到所述盖;以及
控制器,经由嵌入在所述HDI电路和所述封装基座中的信号线电耦接到所述第一TTD模块。
4.根据权利要求1所述的波束形成器模块,其中,所述封装基座包括互连结构,所述互连结构包括形成在多个绝缘层之间并穿过所述多个绝缘层的多个导电布线路径。
5.根据权利要求1所述的波束形成器模块,还包括第二TTD模块,所述第二TTD模块附接到所述封装基座并且包括信号输入、信号输出、多条延时线以及多个开关元件,所述第二TTD模块的所述多个开关元件被配置为通过选择性地激活所述第二TTD模块的所述多条延时线来耦接所述第二TTD模块的所述信号输入和所述第二TTD模块的所述信号输出;
其中,所述第二TTD模块的至少一条延时线耦接到封装在所述封装基座中的所述至少一条TTD曲折线。
6.根据权利要求5所述的波束形成器模块,还包括信号组合器,所述信号组合器集成在所述封装基座中并且电耦接到所述第一TTD模块和所述第二TTD模块中的每一个。
7.根据权利要求1所述的波束形成器模块,还包括嵌入在所述封装基座的外部表面中的天线元件,所述天线元件经由所述RF传输线电耦接到所述第一TTD模块。
8.根据权利要求7所述的波束形成器模块,还包括放大器,所述放大器附接到所述封装基座并且将所述第一TTD模块电耦接到所述天线元件。
9.根据权利要求1所述的波束形成器模块,其中,所述封装基座由陶瓷层和玻璃层中的至少一个形成。
10.根据权利要求1所述的波束形成器模块,其中,电耦接到所述至少一条TTD曲折线的所述第一TTD模块的所述至少一条延时线包括:
第一片上部分,耦接在所述多个开关元件的第一开关元件与所述第一TTD模块的第一接合焊盘之间;以及
第二片上部分,耦接在所述多个开关元件的第二开关元件与所述第一TTD模块的第二接合焊盘之间;并且
其中,所述至少一条TTD曲折线电耦接到所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘。
11.一种制造波束形成器模块的方法,包括:
将至少一条延时线和至少一条RF信号传输线封装在封装主体内;
将至少一个真延时(TTD)模块布置在所述封装主体的表面上,所述至少一个TTD模块具有多条延时线;
将所述至少一个TTD模块中的至少一条延时线电耦接到所述封装主体中的至少一条延时线;以及
将所述至少一个TTD模块的信号输入和信号输出电耦接到所述至少一条RF信号传输线。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括将盖耦接到所述封装主体以形成容纳所述至少一个TTD模块的密封的密封腔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880066411.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。