[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件(10)的方法，该方法包括：

-提供具有主延伸平面的半导体本体(11)，

-在垂直于半导体本体(11)的主延伸平面的垂直方向(z)上，从半导体本体(11)的顶侧(13)在半导体本体(11)中形成沟槽(12)，

-用隔离层(15)涂覆沟槽(12)的内壁(14)，

-在沟槽(12)内的隔离层(15)上沉积金属化层(16)，以及

-在沟槽(12)内的金属化层(16)上沉积钝化层(17)，使得沟槽(12)的内部空间(18)没有任何材料，其中

-与所述内部空间(18)相邻的内表面(19)至少局部地被处理为疏水性的；其中，所述内表面(19)是所述钝化层(17)的背离内壁(14)的表面，或所述内表面(19)是沉积在钝化层(17)上的疏水性涂层(22)的背离内壁(14)的表面；

在沉积所述钝化层之后，所述沟槽的所述内部空间保持没有任何材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内表面(19)与所述内部空间(18)接触或暴露于所述内部空间。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述顶侧(13)处的顶表面(20)的表面能为至少每平方米0.05焦耳。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述内表面(19)的表面能小于每平方米0.04焦耳。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述钝化层(17)的背离内壁(14)的表面至少局部地被氧等离子体蚀刻。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，将光刻胶(21)沉积在所述顶侧(13)处。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在沉积光刻胶(21)之后，通过暴露于溶液或载气中的硅烷来处理所述钝化层(17)的背离内壁(14)的表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在沉积光刻胶(21)之后，通过暴露于溶液或载气中的硅烷将所述钝化层(17)的背离内壁(14)的表面处理为疏水性的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水性涂层(22)通过等离子体聚合沉积。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水性涂层(22)包括含氟聚合物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水性涂层(22)包括纳米颗粒。

12.一种半导体器件(10)包括：

-半导体本体(11)，其具有主延伸平面，

-沟槽(12)，其从半导体本体(11)的顶侧(13)沿垂直方向(z)延伸穿过半导体本体(11)的至少一部分，其中，所述垂直方向(z)垂直于半导体本体(11)的主延伸平面，

-隔离层(15)，其至少部分地覆盖所述沟槽(12)的内壁(14)，

-金属化层(16)，其至少部分地覆盖所述隔离层(15)，和

-钝化层(17)，其至少部分地覆盖所述金属化层(16)，其中

-所述沟槽(12)的内部空间(18)保持没有任何材料，并且

-与所述内部空间(18)相邻的内表面(19)至少局部地是疏水性的；其中，所述内表面(19)是所述钝化层(17)的背离内壁(14)的表面，或所述内表面(19)是覆盖所述钝化层(17)的疏水性涂层(22)的背离内壁(14)的表面。

13.根据权利要求12所述的半导体器件(10)，其中，所述内表面(19)与所述内部空间(18)接触或暴露于所述内部空间。

14.根据权利要求12或13所述的半导体器件(10)，其中，在所述顶侧(13)处的顶表面(20)的表面能达到至少每平方米0.05焦耳。

15.根据权利要求12或13所述的半导体器件(10)，其中，所述金属化层(16)与所述半导体器件(10)的集成电路电连接。