[发明专利]锂阳极装置堆叠制造在审
申请号: | 201880067538.0 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN111247671A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01M4/134 | 分类号: | H01M4/134;H01M4/66;H01M4/62;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/052 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 装置 堆叠 制造 | ||
1.一种阳电极结构,包含:
包含铜的集电器;
在所述集电器上形成的锂金属膜;
在所述锂金属膜上形成的金属膜;及
在所述金属膜上形成的保护膜,
其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、锂离子传导聚合物、锂离子传导液晶、或上述的组合,并且
其中所述金属膜选自铜膜、铋膜、锡膜、或上述的组合。
2.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述铜膜具有在约5纳米与约40纳米之间的厚度。
3.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述铜膜具有在约10纳米与约20纳米之间的厚度。
4.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述锂离子传导膜包含下列物质中的一或多种:氧化铝(Al2O3)、LiPON、Li7La3Zr2O12(LLZO)、Li2S-P2S5、Li10GeP2S12、Li3PS4、(1-x)LiI–(x)Li4SnS4、xLiI–(1-x)Li4SnS4、(1-x)LiI–(x)Li4SnS4、(x)LiI–(1-x)Li4SnS4),其中0<x<1。
5.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述锂金属膜具有在约1微米与约20微米之间的厚度。
6.根据权利要求5所述的阳电极结构,其中所述集电器具有在约2微米与约8微米之间的厚度。
7.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述集电器包含:
第一含镍或铬膜;
铜膜,在所述第一含镍或铬膜上形成并且具有在约50纳米与约500纳米之间的厚度;及
第二含镍或铬膜,在所述铜膜上形成并且具有在约20纳米与约50纳米之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述集电器包含:
聚对苯二甲酸乙二酯(PET)聚合物基板;及
在所述PET聚合物基板上形成的铜膜。
9.一种阳电极结构,包含:
包含铜的集电器;
在所述集电器上形成的硅石墨阳极;
在所述硅石墨阳极上形成的锂金属膜;及
在所述锂金属膜上形成的保护膜,其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、锂离子传导聚合物、锂离子传导液晶、或上述的组合。
10.一种方法,包含:
在集电器上形成锂金属膜,其中所述集电器包含铜;
在所述锂金属膜上形成金属膜,其中所述金属膜选自铜膜、铋膜、锡膜、或上述的组合;及
形成在所述金属膜上形成的保护膜,其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、或离子传导液晶。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述铜膜具有在约5纳米与约40纳米之间的厚度。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述铜膜具有在约10纳米与约20纳米之间的厚度。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述集电器具有在约2微米与约8微米之间的厚度。
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