[发明专利]锂阳极装置堆叠制造在审

专利信息
申请号: 201880067538.0 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN111247671A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01M4/134 分类号: H01M4/134;H01M4/66;H01M4/62;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/052
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 阳极 装置 堆叠 制造
【权利要求书】:

1.一种阳电极结构,包含:

包含铜的集电器;

在所述集电器上形成的锂金属膜;

在所述锂金属膜上形成的金属膜;及

在所述金属膜上形成的保护膜,

其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、锂离子传导聚合物、锂离子传导液晶、或上述的组合,并且

其中所述金属膜选自铜膜、铋膜、锡膜、或上述的组合。

2.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述铜膜具有在约5纳米与约40纳米之间的厚度。

3.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述铜膜具有在约10纳米与约20纳米之间的厚度。

4.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述锂离子传导膜包含下列物质中的一或多种:氧化铝(Al2O3)、LiPON、Li7La3Zr2O12(LLZO)、Li2S-P2S5、Li10GeP2S12、Li3PS4、(1-x)LiI–(x)Li4SnS4、xLiI–(1-x)Li4SnS4、(1-x)LiI–(x)Li4SnS4、(x)LiI–(1-x)Li4SnS4),其中0<x<1。

5.根据权利要求2所述的阳电极结构,其中所述锂金属膜具有在约1微米与约20微米之间的厚度。

6.根据权利要求5所述的阳电极结构,其中所述集电器具有在约2微米与约8微米之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述集电器包含:

第一含镍或铬膜;

铜膜,在所述第一含镍或铬膜上形成并且具有在约50纳米与约500纳米之间的厚度;及

第二含镍或铬膜,在所述铜膜上形成并且具有在约20纳米与约50纳米之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的阳电极结构,其中所述集电器包含:

聚对苯二甲酸乙二酯(PET)聚合物基板;及

在所述PET聚合物基板上形成的铜膜。

9.一种阳电极结构,包含:

包含铜的集电器;

在所述集电器上形成的硅石墨阳极;

在所述硅石墨阳极上形成的锂金属膜;及

在所述锂金属膜上形成的保护膜,其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、锂离子传导聚合物、锂离子传导液晶、或上述的组合。

10.一种方法,包含:

在集电器上形成锂金属膜,其中所述集电器包含铜;

在所述锂金属膜上形成金属膜,其中所述金属膜选自铜膜、铋膜、锡膜、或上述的组合;及

形成在所述金属膜上形成的保护膜,其中所述保护膜是选自包含下列材料的群组的锂离子传导膜:锂离子传导陶瓷、锂离子传导玻璃、或离子传导液晶。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述铜膜具有在约5纳米与约40纳米之间的厚度。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述铜膜具有在约10纳米与约20纳米之间的厚度。

13.根据权利要求10所述的方法,其中所述集电器具有在约2微米与约8微米之间的厚度。

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