[发明专利]半导体器件的生产有效
申请号: | 201880067866.0 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN111213249B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | I.坦格林;G.贝林克 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 生产 | ||
1.一种用于生产半导体器件(100)的方法,包括:
提供载体(110),载体(110)具有布置在载体(110)上的半导体部件(140);
在载体(110)上提供层布置,所述层布置邻接半导体部件(140)并且包括第一可流动层和第二可流动层,其中第一层(161)形成在载体(110)上,并且然后在第一层(161)上形成第二层(162、262),其中第一层(161)包括颗粒(166),其中第一层(161)的密度大于第二层(162、262)的密度,并且其中发生利用第一层(161)的对半导体部件(140)的横向浸润,使得第一层(161)包括第一配置,该第一配置包括相对于半导体部件(140)在横向上弯曲的层表面;以及
对被提供有半导体部件(140)和所述层布置的载体(110)进行离心,使得至少减小第一层(161)的相对于半导体部件(140)在横向上的层表面的弯曲,并且作为结果第一层(161)包括第二配置,其中,借助于布置在第一层(161)上的第二层(162、262),抑制第一层(161)再次返回到第一配置。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中半导体部件(140)是以下之一:
辐射发射半导体部件;
辐射发射半导体芯片;或者
辐射发射CSP半导体部件。
3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)和/或第二层(162、262)是塑料层。
4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第二层(162)是辐射透射性塑料层。
5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)包括至少以下颗粒:
反射性颗粒;
吸收剂颗粒;和/或
磷光体颗粒。
6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)包括具有在30%至50%的范围内的按重量计的比例的颗粒。
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中,在离心之后,执行固化第一层(161)以及然后移除第二层(262)。
8.根据权利要求7所述的方法,
其中第二层(262)包括以下中的至少一个:
硅树脂油;
甘油;和/或
水。
9.根据权利要求1至6中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)和第二层(162)包括对应的塑料材料。
10.根据权利要求1至6或9中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)和第二层(162)包括硅树脂材料。
11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中,在离心之后,执行移除载体(110)。
12.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中所提供的载体(110)包括腔体(131),在腔体(131)中布置有半导体部件(140)。
13.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中包围腔体(181)的壁结构(180)被布置在所提供的载体(110)上,并且其中半导体部件(140)被布置在腔体(181)中。
14.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中,在离心之后,执行以下中的至少一个:
形成进一步的层(170、171、172、175、190);或者
形成透镜(191)。
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