[发明专利]半导体器件的生产有效

专利信息
申请号: 201880067866.0 申请日: 2018-08-16
公开(公告)号: CN111213249B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: I.坦格林;G.贝林克 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘书航;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 生产
【权利要求书】:

1.一种用于生产半导体器件(100)的方法,包括:

提供载体(110),载体(110)具有布置在载体(110)上的半导体部件(140);

在载体(110)上提供层布置,所述层布置邻接半导体部件(140)并且包括第一可流动层和第二可流动层,其中第一层(161)形成在载体(110)上,并且然后在第一层(161)上形成第二层(162、262),其中第一层(161)包括颗粒(166),其中第一层(161)的密度大于第二层(162、262)的密度,并且其中发生利用第一层(161)的对半导体部件(140)的横向浸润,使得第一层(161)包括第一配置,该第一配置包括相对于半导体部件(140)在横向上弯曲的层表面;以及

对被提供有半导体部件(140)和所述层布置的载体(110)进行离心,使得至少减小第一层(161)的相对于半导体部件(140)在横向上的层表面的弯曲,并且作为结果第一层(161)包括第二配置,其中,借助于布置在第一层(161)上的第二层(162、262),抑制第一层(161)再次返回到第一配置。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中半导体部件(140)是以下之一:

辐射发射半导体部件;

辐射发射半导体芯片;或者

辐射发射CSP半导体部件。

3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中第一层(161)和/或第二层(162、262)是塑料层。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中第二层(162)是辐射透射性塑料层。

5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中第一层(161)包括至少以下颗粒:

反射性颗粒;

吸收剂颗粒;和/或

磷光体颗粒。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中第一层(161)包括具有在30%至50%的范围内的按重量计的比例的颗粒。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中,在离心之后,执行固化第一层(161)以及然后移除第二层(262)。

8.根据权利要求7所述的方法,

其中第二层(262)包括以下中的至少一个:

硅树脂油;

甘油;和/或

水。

9.根据权利要求1至6中的任何一项所述的方法,

其中第一层(161)和第二层(162)包括对应的塑料材料。

10.根据权利要求1至6或9中的任何一项所述的方法,

其中第一层(161)和第二层(162)包括硅树脂材料。

11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中,在离心之后,执行移除载体(110)。

12.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中所提供的载体(110)包括腔体(131),在腔体(131)中布置有半导体部件(140)。

13.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中包围腔体(181)的壁结构(180)被布置在所提供的载体(110)上,并且其中半导体部件(140)被布置在腔体(181)中。

14.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,

其中,在离心之后,执行以下中的至少一个:

形成进一步的层(170、171、172、175、190);或者

形成透镜(191)。

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