[发明专利]具有带抬升区的栅极的晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

半导体；

在所述半导体中形成的第一漂移层，所述第一漂移层具有第一类型的多数载流子；

在所述第一漂移层中形成的漏极区，所述漏极区具有所述第一类型的多数载流子；

在所述半导体中形成的体区，所述体区具有第二类型的多数载流子；

在所述体区中形成的源极区，所述源极区具有所述第一类型的多数载流子；

浅沟槽隔离区，其在所述第一漂移层中形成并且被设置在所述漏极区与所述体区之间；

在所述半导体上形成的电介质；以及

在所述电介质上方并且具有抬升区的栅极。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括：

在所述第一漂移层中形成的掺杂区，所述掺杂区具有所述第一类型的多数载流子。

3.根据权利要求1所述的晶体管，所述电介质具有在所述栅极的所述抬升区下的抬升区。

4.根据权利要求1所述的晶体管，所述掺杂区与所述浅沟槽隔离区共享圆形界面。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述圆形界面降低在所述晶体管的操作期间的局部电场。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括：

在所述半导体中形成的第二漂移层，所述第二漂移层具有所述第一类型的多数载流子。

7.一种方法，其包括：

在半导体中形成具有第一类型的多数载流子的第一漂移层；

在所述第一漂移层中形成浅沟槽隔离区；

在所述半导体上方生长衬垫氧化物层；

在所述衬垫氧化物层上方沉积氮化物层；

在所述氮化物层上方沉积光致抗蚀剂层；

在所述光致抗蚀剂层中暴露开口图案；

基于所述开口图案在所述光致抗蚀剂层中蚀刻开口，以暴露到所述氮化物层的开口；

蚀刻到所述氮化物层的所述开口，以暴露到所述衬垫氧化物层的开口；

去除所述光致抗蚀剂层；

在到所述衬垫氧化物层的所述开口上生长氧化物；

去除所述氮化物层；

去除所述衬垫氧化物层，留下在所述衬垫氧化物层上生长的所述氧化物的至少一部分；

生长栅极氧化物层；

在所述栅极氧化物层上形成栅极；

在所述第一漂移层中形成具有所述第一类型的多数载流子的漏极区；

在所述半导体中形成具有第二类型的多数载流子的体区；以及

在所述体区中形成具有所述第一类型的多数载流子的源极区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在到所述衬垫氧化物层的所述开口上生长所述氧化物包含生长所述氧化物到至少200埃的厚度。

9.根据权利要求7所述的方法，所述方法进一步包括：

通过所述开口将掺杂剂注入到所述衬垫氧化物层以提供所述第一类型的多数载流子。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一类型的所述多数载流子是电子，并且所述第二类型的所述多数载流子是空穴，其中通过所述开口将掺杂剂注入到所述衬垫氧化物层包含以从0°到9°的注入角度，采用25KeV到250KeV的范围中的能量注入剂量为6·10¹¹cm^-2到9·10¹²cm^-2的磷或砷。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在到所述衬垫氧化物层的所述开口上生长所述氧化物包含生长所述氧化物到至少200埃的厚度。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体包括硅，并且所述氧化物、所述衬垫氧化物层和所述栅极氧化物层各自包括二氧化硅，其中在到所述衬垫氧化物层的所述开口上生长所述氧化物包括使所述半导体氧化。