[发明专利]有机氢氯硅烷的制造工艺

权利要求书

1.制造通式(I)的单硅烷的工艺：

R_xSiH_yCl_z (I)，

其中R为有机基团，

x＝1-3、优选地1-2，

y＝1-3、优选地1-2，

z＝0-3、优选地1-2，和

x+y+z＝4，

所述工艺包括：

A)使硅烷底物在一种或多种化合物(C)的存在下经历反应的步骤，所述硅烷底物包括一种或多种选自如下的硅烷：

a)通式(II)的单硅烷

R_aSiH_bCl_c (II)

其中R如上定义，

a＝1-3，

b＝0-3，

c＝0-3，且

a+b+c＝4，和

b)通式(III)的二硅烷

R_eSi₂H_fCl_g (III)

其中R如上定义，

e＝1-5，

f＝0-5，

g＝0-5，且

e+f+g＝6，

c)通式(IV)的碳二硅烷

R_m(SiCH₂Si)H_nCl_o (IV)

其中R如上定义，

m＝1-5，

n＝0-5，

o＝0-5，且

m+n+o＝6，

所述一种或多种化合物(C)选自：

-膦R¹₃P，其中R¹为氢或有机基团并且能为相同的或不同的；优选为R₃P，其中R如上定义并且能为相同的或不同的；例如PPh₃，和

-胺R¹₃N，其中R¹为氢或有机基团并且能为相同的或不同的；优选为R₃N，其中R如上定义并且能为相同的或不同的；例如n-Bu₃N或NPh₃，和

B)任选地，分离所得的通式(I)的单硅烷的步骤，

条件是：

(i)式(II)、(III)或(IV)的至少一种硅烷在硅原子处具有至少一个氯取代基，

以及以下条件(ii)和(iii)的至少一项：

(ii)式(II)、(III)或(IV)的硅烷的至少一种在硅原子处具有至少一个氢取代基，

(iii)步骤A)在一种或多种氢给体的存在下实施。

2.根据权利要求1所述的工艺，其在不供应氯化氢的情况下和/或在不存在金属催化剂，优选地不存在氯化铝或钯催化剂下实施。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其中步骤A)在有机溶剂，优选地高沸点醚化合物，更优选地1,4-二氧六环、二甘醇二甲醚或四甘醇二甲醚，最优选地二甘醇二甲醚中实施。

4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺，其中步骤A)在一种或多种氢给体，优选地一种或多种金属氢化物，更优选地选自碱金属氢化物和碱土金属氢化物的一种或多种金属氢化物，和最优选地氢化锂的存在下实施。

5.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中在通式(II)、(III)或(IV)的一个或多个和通式(I)中，R为烷基或环烷基基团、优选地甲基基团。

6.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中步骤A)中的全部式(II)、(III)或(IV)的硅烷在一个、多个或全部硅原子处具有至少一个氯取代基。

7.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中步骤A)中的全部式(II)、(III)或(IV)的硅烷在一个、多个或全部硅原子处不具有氢取代基。