[发明专利]偏振膜及其制造方法

权利要求书

1.一种偏振膜，其依次包含起偏器层、树脂层、粘接层和硬涂层，

所述树脂层由树脂形成，所述树脂在制成厚度为1mm的膜时所测定的储能模量为10MPa以上且1000MPa以下，

所述树脂包含具有脂环式结构的聚合物，

所述具有脂环式结构的聚合物为嵌段共聚物氢化物E，

所述嵌段共聚物氢化物E为嵌段共聚物D的氢化物，

所述嵌段共聚物D为包含聚合物嵌段A、以及聚合物嵌段B或聚合物嵌段C的嵌段共聚物，

所述聚合物嵌段A是以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元I为主成分的聚合物嵌段，

所述聚合物嵌段B是以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元I和来自链状共轭二烯化合物的重复单元II为主成分的聚合物嵌段，

所述聚合物嵌段C是以来自链状共轭二烯化合物的重复单元II为主成分的聚合物嵌段，

所述树脂层的厚度为1μm以上且4μm以下，

所述硬涂层是包含活性能量射线固化型树脂和微粒的组合物的固化物的层，

所述粘接层与所述硬涂层直接相接。

2.根据权利要求1所述的偏振膜，其中，所述起偏器层的厚度为1μm以上且25μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其中，所述粘接层的厚度大于0μm且为5μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其进一步包含粘合层，所述粘合层设置在与所述起偏器层的所述树脂层侧相对的一侧，所述粘合层的厚度为2μm以上且25μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其中，所述树脂在制成厚度为100μm的膜时所测定的在40℃、90％RH的水蒸气透过率小于5g/(m²·day)。

6.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其中，所述树脂进一步包含增塑剂和/或软化剂。

7.根据权利要求6所述的偏振膜，其中，所述增塑剂和/或软化剂选自具有酯结构的化合物和脂肪族烃聚合物中的1种以上。

8.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其中，在将从所述偏振膜切出的10cm见方的切片在23℃、55％RH的环境下润湿24小时后放置在水平面上时，在所述切片的4个顶点距离所述水平面的高度中的最大值为30mm以下。

9.根据权利要求1或2所述的偏振膜，其中，所述起偏器层包含聚乙烯醇树脂。

10.一种偏振膜的制造方法，其中，

所述偏振膜依次包含起偏器层、树脂层、粘接层和硬涂层，所述树脂层由树脂形成，所述树脂在制成厚度为1mm的膜时所测定的储能模量为10MPa以上且1000MPa以下，

所述树脂包含具有脂环式结构的聚合物，

所述具有脂环式结构的聚合物为嵌段共聚物氢化物E，

所述嵌段共聚物氢化物E为嵌段共聚物D的氢化物，

所述嵌段共聚物D为包含聚合物嵌段A、以及聚合物嵌段B或聚合物嵌段C的嵌段共聚物，

所述聚合物嵌段A是以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元I为主成分的聚合物嵌段，

所述聚合物嵌段B是以来自芳香族乙烯基化合物的重复单元I和来自链状共轭二烯化合物的重复单元II为主成分的聚合物嵌段，

所述聚合物嵌段C是以来自链状共轭二烯化合物的重复单元II为主成分的聚合物嵌段，

所述树脂层的厚度为1μm以上且4μm以下，

所述硬涂层是包含活性能量射线固化型树脂和微粒的组合物的固化物的层，

所述粘接层与所述硬涂层直接相接，

所述制造方法包含以下工序：

在临时支承体的面上形成所述硬涂层的工序；

准备包含所述起偏器层和所述树脂层的层叠体的工序；

经由所述粘接层，将所述层叠体树脂层侧的面与在所述临时支承体的面上形成的所述硬涂层进行贴合的工序；以及

从所述硬涂层剥离所述临时支承体的工序。