[发明专利]单一金属的多浴电镀

权利要求书

1.一种将金属电镀至衬底上的部分已制成的电子器件的特征内的方法，该方法包括：

(a)在所述特征接触具有第一组合物且包含所述金属的离子的第一电镀浴时，将所述金属电镀至所述特征中，以通过由下往上填充的机制部分地填充所述特征；

(b)其后，在所述特征接触具有不同于所述第一组合物的第二组合物且包含所述金属的所述离子的第二电镀浴时，将更多所述金属电镀至所述特征中，以进一步填充所述特征；以及

(c)将所述衬底从执行操作(b)的电镀工具中移开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属为铜。

3.根据权利要求1或第2所述的方法，其中所述第一电镀浴和所述第二电镀浴各自都包含酸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一电镀浴仅包含一种类型的溶解阴离子。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴和所述第二电镀浴各自都包含硫酸铜和硫酸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电镀浴包含两种溶解阴离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电镀浴包含硫酸铜和甲磺酸。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二电镀浴包含硫酸铜和硫酸，但不含有甲磺酸。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴具有所述金属的第一浓度的所述离子，而所述第二电镀浴具有所述金属的第二浓度的离子，并且其中所述金属的所述离子的所述第一浓度大于所述金属的所述离子的所述第二浓度。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴具有所述金属的第一浓度的所述离子，而所述第二电镀浴具有所述金属的第二浓度的离子，并且其中所述金属的所述离子的所述第一浓度小于所述金属的所述离子的所述第二浓度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属为铜，所述金属的离子的所述第一浓度介于约24g/L至90g/L之间，且其中所述金属的离子的所述第二浓度介于约24g/L至90g/L之间。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴具有第一浓度的酸，而所述第二电镀浴具有第二浓度的酸，并且其中所述酸的第二浓度大于所述酸的第一浓度。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴具有第一浓度的酸，而所述第二电镀浴具有第二浓度的酸，并且其中所述酸的第二浓度小于所述酸的第一浓度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属为铜，所述第一浓度的酸具有介于约-0.34和0.26之间的pH，并且其中所述第二浓度的酸具有介于约-0.34和0.26之间的pH。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一电镀浴具有第一添加剂组合物，而所述第二电镀浴具有不同于所述第一添加剂组合物的第二添加剂组合物。

16.根据权利要求15所述的方法，其中相较于所述第二添加剂组合物，所述第一添加剂组合物具有较强的由下往上填充特性。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一添加剂组合物包括抑制剂和加速剂。

18.根据权利要求15所述的方法，其中相较于所述第一添加剂组合物，所述第二添加剂组合物具有较强的整平特性。