[发明专利]干式蚀刻方法

权利要求书

1.一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与含有氮化硅及氧化硅的结构接触，选择性地蚀刻所述氮化硅，

所述氮化硅与所述氧化硅的蚀刻选择比(SiN/SiO₂)为100以上。

2.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。

3.根据权利要求2所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.1体积％以上且30体积％以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸为选自由单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸及七氟丁酸组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述混合气体不仅与所述氮化硅及所述氧化硅接触，而且也与多晶硅接触，

所述氮化硅与所述多晶硅的蚀刻选择比(SiN/Si)为100以上。

6.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸为三氟乙酸或五氟丙酸，

所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.1体积％以上且30体积％以下。

7.根据权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述氮化硅的蚀刻速率为100nm/min以上。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，其包含如下工序：针对具有氧化硅膜、多晶硅膜及氮化硅膜的硅基板，应用权利要求1～7中任一项所述的干式蚀刻方法，选择性地蚀刻氮化硅膜。

9.一种干式蚀刻气体组合物，其特征在于，其包含氟化氢与含氟羧酸，

所述含氟羧酸的水分量小于1质量％，

在与氮化硅及氧化硅接触时，所述氮化硅与所述氧化硅的蚀刻选择比(SiN/SiO₂)为100以上。

10.根据权利要求9所述的干式蚀刻气体组合物，其实质上仅包含氟化氢与含氟羧酸。

11.根据权利要求9或10所述的干式蚀刻气体组合物，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。

12.根据权利要求11所述的干式蚀刻气体组合物，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.1体积％以上且30体积％以下。

13.根据权利要求9或10所述的干式蚀刻气体组合物，其特征在于，所述含氟羧酸为选自由单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸及七氟丁酸组成的组中的至少一种。

14.一种蚀刻装置，其具备：

腔室，其具有载置含有氮化硅膜及氧化硅膜的硅基板的平台；

气体供给部，其用于对载置于所述平台的所述基板供给包含氟化氢与含氟羧酸的干式蚀刻气体组合物；

真空排气部，其用于将所述腔室内减压；及

加热器，其用于将所述平台加热，且

所述蚀刻装置以所述氮化硅与所述氧化硅的蚀刻选择比(SiN/SiO₂)为100以上的方式自所述基板蚀刻所述氮化硅膜。

15.根据权利要求14所述的蚀刻装置，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。

16.根据权利要求15所述的蚀刻装置，其特征在于，所述含氟羧酸的量为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.1体积％以上且30体积％以下。