[发明专利]磷化铟晶体基板

权利要求书

1.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，

所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，

所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×10¹⁸cm^-3以上且8.0×10¹⁸cm^-3以下的硫原子、浓度为1.0×10¹⁸cm^-3以上且4.0×10¹⁸cm^-3以下的锡原子和浓度为5.0×10¹⁵cm^-3以上且1.0×10¹⁷cm^-3以下的铁原子中的任一种，并且

在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10^-6以上且5×10^-5以下的平均残余应变。

2.根据权利要求1所述的磷化铟晶体基板，其中，

在所述第一平坦区域和所述第一缺口区域中的任一者中，

当所述磷化铟晶体基板含有所述硫原子时，所述磷化铟晶体基板具有10cm^-2以上且500cm^-2以下的平均位错密度，并且

当所述磷化铟晶体基板含有所述锡原子和所述铁原子中的任一种时，所述磷化铟晶体基板具有500cm^-2以上且5000cm^-2以下的平均位错密度。

3.一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板包括直径为100mm以上且205mm以下的主表面，并且所述磷化铟晶体基板的厚度为300μm以上且800μm以下，

所述磷化铟晶体基板的外缘的一部分包括平坦部和缺口部中的任一者，

所述磷化铟晶体基板含有浓度为2.0×10¹⁸cm^-3以上且8.0×10¹⁸cm^-3以下的硫原子、浓度为1.0×10¹⁸cm^-3以上且4.0×10¹⁸cm^-3以下的锡原子和浓度为5.0×10¹⁵cm^-3以上且1.0×10¹⁷cm^-3以下的铁原子中的任一种，并且

在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部1mm的位置为止的宽度上延伸的第二缺口区域中的任一者中，所述磷化铟晶体基板具有5×10^-6以上且5×10^-5以下的平均残余应变。

4.根据权利要求3所述的磷化铟晶体基板，其中，

在所述第二平坦区域和所述第二缺口区域中的任一者中，

当所述磷化铟晶体基板含有所述硫原子时，所述磷化铟晶体基板具有10cm^-2以上且500cm^-2以下的平均位错密度，并且

当所述磷化铟晶体基板含有所述锡原子和所述铁原子中的任一种时，所述磷化铟晶体基板具有500cm^-2以上且5000cm^-2以下的平均位错密度。