[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件依次包括阴极、电子传输层、发光层和阳极，

所述发光器件还任选地包括在所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层，

其中

所述电子传输层含有颗粒和非颗粒性电子传输材料，

构成所述颗粒的材料对波长为550nm的光的折射率n1和所述非颗粒性电子传输材料对波长为550nm的光的折射率n2满足以下关系：n1-n2≤-0.15，并且

通过动态光散射所确定的所述颗粒的Z-平均粒径为110至300nm。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中构成所述颗粒的所述材料对波长为550nm的光的折射率n1为1.5以下。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述颗粒是二氧化硅颗粒。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述电子传输材料含有高分子化合物，所述高分子化合物具有由式(ET-1)表示的结构单元：

其中nE1表示1以上的整数，

Ar^E1表示任选取代的芳族烃基或任选取代的杂环基，

R^E1表示任选取代的含有一个或多个杂原子的一价基团，并且当存在多个R^E1时，所述多个R^E1可以是相同的或不同的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述电子传输材料含有由式(H-1)表示的化合物：

其中Ar^H1和Ar^H2各自独立地表示任选取代的一价芳族烃基或任选取代的一价杂环基，

L^H1表示任选取代的二价芳族烃基或任选取代的二价杂环基，

L^H2表示由式-N(-L^H21-R^H21)-表示的基团

其中L^H21表示单键、任选取代的亚芳基或任选取代的二价杂环基，

R^H21表示氢原子、任选取代的烷基、任选取代的环烷基、任选取代的芳基或任选取代的一价杂环基，

当存在多个L^H1时，所述多个L^H1可以是相同的或不同的，

当存在多个L^H2时，所述多个L^H2可以是相同的或不同的，并且

n^H1、n^H2和n^H3各自独立地表示0以上且10以下的整数。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中相对于100质量份的所述电子传输材料，所述颗粒的比例为1至200质量份。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述电子传输层的每单位面积的颗粒数为1/μm²以上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述阴极或所述电子注入层与所述电子传输层相邻，并且所述阴极或所述电子注入层与所述电子传输层之间的界面的均方根粗糙度为5nm以上。