[发明专利]固态成像装置和电子设备在审
申请号: | 201880069404.2 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111279483A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 押山到 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
本技术涉及能够在抑制混色劣化的同时改善感度的固态成像装置和电子设备。本发明的固态成像装置包括:基板;设置在所述基板中的第一光电转换区域;设置在所述基板中的第二光电转换区域;设置在第一光电转换区域和第二光电转换区域之间并贯通所述基板的沟槽;在第一光电转换区域的上方且具有设置在所述基板的受光面侧的多个凹部的第一凹部区域;和在第二光电转换区域的上方且具有设置在所述基板的受光面侧的多个凹部的第二凹部区域。本公开的技术可以适用于例如背面照射型的固态成像装置等。
技术领域
本技术涉及固态成像装置和电子设备,例如,涉及能够在抑制混色劣化的同时改善感度的固态成像装置和电子设备。
背景技术
在固态成像装置中,作为用于防止入射光反射的结构,已经提出在形成有光电二极管的硅层的受光面侧的界面处设置微细凹凸结构(例如,专利文献1和2)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本特开第2010-272612号公报
专利文献2:日本特开第2013-33864号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,微细凹凸结构可以通过防止入射光的反射来改善感度,但是散射也变大并且泄漏到相邻像素中的光量增加,因此存在混色劣化的可能性。
考虑到这种情况做出了本公开,并且本公开的目的是在抑制混色劣化的同时改善感度。
问题的解决方案
根据本技术一方面的固态成像装置包括:基板;设置在所述基板中的第一光电转换区域;设置在所述基板中的第二光电转换区域;设置在第一光电转换区域和第二光电转换区域之间并贯通所述基板的沟槽;在第一光电转换区域的上方且具有设置在所述基板的受光面侧的多个凹部的第一凹部区域;和在第二光电转换区域的上方且具有设置在所述基板的受光面侧的多个凹部的第二凹部区域。
根据本技术一方面的电子设备包括上述的固态成像装置。
根据本技术的一个方面的固态成像装置包括:设置在基板中的第一光电转换区域和第二光电转换区域;设置在第一光电转换区域和第二光电转换区域之间并贯通基板的沟槽;在第一光电转换区域的上方且具有设置在基板的受光面侧的多个凹部的第一凹部区域;和在第二光电转换区域的上方且具有设置在基板的受光面侧的多个凹部的第二凹部区域。
根据本技术一方面的电子设备包括上述的固态成像装置。
请注意,固态成像装置和电子设备可以是独立的装置,或者可以是构成一个装置的内部块。
发明效果
根据本技术的实施方案,可以在抑制混色劣化的同时改善感度。
请注意,这里记载的效果不必受限制,并且可以是本公开中记载的任何效果。
附图说明
图1是示出本公开的固态成像装置的示意性构成的图。
图2是示出根据第一实施方案的像素的截面构成例的图。
图3是用于说明凹部区域的图。
图4是用于说明凹部区域的图。
图5是示出根据第二实施方案的像素的截面构成例的图。
图6是用于说明本公开的像素结构的效果的图。
图7是用于说明像素的各个位置处的最佳条件的图。
图8是示出根据第三实施方案的像素的截面构成例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的