[发明专利]由单晶硅组成的半导体晶片有效
| 申请号： | 201880069572.1 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111279461B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | T·米勒;M·博伊;M·格姆利希;A·扎特勒 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 组成 半导体 晶片 | ||
1.一种用于制造单晶硅的半导体晶片的方法，所述方法包括：
提供单晶硅的基体晶片；
通过双面抛光(DSP)抛光基体晶片；
通过化学机械抛光(CMP)抛光基体晶片的正面；
在基体晶片的正面上沉积单晶硅的至少一个外延层，从而形成涂覆的基体晶片；
将涂覆的基体晶片装载到快速热退火(RTA)反应器；
在具有不小于0.5体积％且不大于2体积％的氧气比例的由氩气和氧气组成的气氛中，在处于不小于1275℃且不大于1295℃的温度范围内的温度下，对涂覆的基体晶片进行第一快速热退火处理不小于15s且不大于30s的时间；
将第一快速热退火处理后的涂覆的基体晶片冷却至不大于800℃的温度，其中，被供给到涂覆的基体晶片的气体被设定为100体积％的氩气；
在由氩气组成的气氛中，在处于不小于1280℃且不大于1300℃的温度范围内的温度下，对涂覆的基体晶片进行第二快速热退火处理不小于20s且不大于35s的时间；
从涂覆的基体晶片的正面去除氧化物层；以及
通过化学机械抛光抛光涂覆的基体晶片的正面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过用HF水溶液处理涂覆的基体晶片来去除氧化物层；和/或
在第一快速热退火处理之前，使100体积％氧气通过快速热退火反应器。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，涂覆的基体晶片包括剥蚀区，所述剥蚀区从涂覆的基体晶片的抛光的正面延伸到不小于45μm的深度，并且所述半导体晶片在与剥蚀区邻近的区域中包括能够生长成体微缺陷的体微缺陷种子，其中，距抛光的正面120μm的距离处的体微缺陷的密度不小于3×109cm-3。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所制造的单晶硅的半导体晶片具有从峰值密度在中心平面的方向上降低的生长的体微缺陷的密度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880069572.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
