[发明专利]高电压隔离结构及方法

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

所述微电子装置的高电压组件的高电压节点；

所述高电压组件的低电压节点；

第一电介质，其安置于所述低电压节点与所述高电压节点之间；

第一导电板，其安置于所述第一电介质与所述高电压节点之间；及

第二电介质，其安置于所述第一导电板与所述高电压节点之间。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述高电压组件是高电压电容器，所述低电压节点是所述高电压电容器的下板，所述高电压节点是所述高电压电容器的上板，且所述第一导电板与所述低电压节点及所述高电压节点电隔离。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一电介质具有第一厚度，所述第二电介质具有第二厚度，且所述第一厚度不同于所述第二厚度。

4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述高电压节点具有第一横向尺寸，所述低电压节点具有第二横向尺寸，所述第一导电板具有第三横向尺寸，所述第三横向尺寸大于所述第一横向尺寸。

5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述高电压节点具有第一横向尺寸，所述低电压节点具有第二横向尺寸，所述第一导电板具有第三横向尺寸，所述第三横向尺寸大于所述第一横向尺寸。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括：

第二导电板，其安置于所述第一导电板与所述第一电介质之间；及

第三电介质，其安置于所述第一导电板与所述第二导电板之间。

7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述第二导电板具有第四横向尺寸，且所述第四横向尺寸不同于所述第三横向尺寸。

8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一电介质包括多个电介质层，所述多个电介质层包括基于二氧化硅的电介质材料。

9.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括所述第一电介质中的隔离缺口，使得所述第一电介质在所述隔离缺口处不连续，且所述隔离缺口环绕所述第一导电板。

10.根据权利要求8所述的微电子装置，其进一步包括安置于所述隔离缺口外的低电压组件。

11.一种电容器，其包括：

导电第一电容器板，其安置于衬底上方；

第一电介质，其安置于所述导电下板之上；

导电第一浮动板，其安置于所述第一电介质之上，所述第一浮动板与所述第一电容器板电隔离；

第二电介质，其安置于所述第一浮动板之上；及

导电第二电容器板，其安置于所述第二电介质之上，所述第二电容器板与所述第一浮动板电隔离。

12.根据权利要求11所述的电容器，其中所述第一电介质具有第一厚度，所述第二电介质具有第二厚度，且所述第一厚度不同于所述第二厚度。

13.根据权利要求11所述的电容器，其中所述浮动板具有不同于所述第一电容器板的横向尺寸的横向尺寸。

14.根据权利要求11所述的电容器，其进一步包括：

导电第二浮动板，其安置于所述第一浮动板与所述第一电介质之间，所述第二浮动板与所述第一及第二电容器板电隔离；及

第三电介质，其安置于所述第一浮动板与所述第二浮动板之间。

15.根据权利要求14所述的电容器，其中所述第二浮动板具有不同于所述第一浮动板的横向尺寸的横向尺寸。

16.根据权利要求11所述的电容器，其中所述第一电介质包括多个电介质层，所述多个电介质层包括基于二氧化硅的电介质材料。