[发明专利]碳纳米管包覆电线在审
申请号: | 201880070231.6 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN111279441A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 山崎悟志;山下智;畑本宪志;会泽英树 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01B7/00 | 分类号: | H01B7/00;C01B32/158;H01B1/04;H01B7/42 |
代理公司: | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 郭红丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 管包覆 电线 | ||
1.一种碳纳米管包覆电线,其具备:
碳纳米管线材,其由单个或多个碳纳米管集合体构成,该碳纳米管集合体由多个碳纳米管构成;以及
绝缘包覆层,其包覆该碳纳米管线材,
所述碳纳米管线材的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra1小于所述绝缘包覆层的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra2。
2.一种碳纳米管包覆电线,其具备:
碳纳米管线材,其由单个或多个碳纳米管集合体构成,该碳纳米管集合体由多个碳纳米管构成;以及
绝缘包覆层,其包覆该碳纳米管线材,
所述碳纳米管线材的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra3小于所述绝缘包覆层的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra4。
3.一种碳纳米管包覆电线,其具备:
碳纳米管线材,其由单个或多个碳纳米管集合体构成,该碳纳米管集合体由多个碳纳米管构成;以及
绝缘包覆层,其包覆该碳纳米管线材,
所述碳纳米管线材的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra1小于所述绝缘包覆层的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra2,所述碳纳米管线材的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra3小于所述绝缘包覆层的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra4。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
所述碳纳米管线材由多个所述碳纳米管集合体绞合而成。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管包覆电线,其中,
绞合而成的所述碳纳米管线材的捻数为100T/m以上且14000T/m以下。
6.根据权利要求4所述的碳纳米管包覆电线,其中,
绞合而成的所述碳纳米管线材的捻数为1500T/m以上且14000T/m以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
所述绝缘包覆层的至少一部分与所述碳纳米管线材接触。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
所述碳纳米管线材的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra1为15.0μm以下,所述绝缘包覆层的外表面的周向的算术平均粗糙度Ra2为3.0μm以上且15.0μm以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
所述碳纳米管线材的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra3为15.0μm以下,所述绝缘包覆层的外表面的长度方向的算术平均粗糙度Ra4为15.0μm以下。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
在所述碳纳米管线材与所述绝缘包覆层之间设置有金属层。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
所述碳纳米管线材由多个所述碳纳米管集合体构成,表示多个该碳纳米管集合体的取向性的、利用小角X射线散射而得到的方位图中的方位角的半值宽度Δθ为60°以下。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的碳纳米管包覆电线,其中,
表示多个所述碳纳米管的密度的、利用X射线散射得到的散射强度的(10)峰中的峰顶的q值为2.0nm-1以上且5.0nm-1以下,并且半值宽度Δq为0.1nm-1以上且2.0nm-1以下。
13.一种线束,其使用权利要求1至12中任一项所述的碳纳米管包覆电线。
14.一种线圈,其使用权利要求1至12中任一项所述的碳纳米管包覆电线。
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