[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种成像元件，包括：

半导体基板，其包括针对各像素的光电转换单元，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；

滤色层，其形成在所述半导体基板上，并且使预定波长的入射光通过；

遮光壁，其在所述半导体基板上的像素边界处以高度大于所述滤色层的高度形成；和

保护基板，其经由密封树脂配置，并且保护所述滤色层的上表面侧。

2.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：

在所述滤色层的上方的片上透镜，

其中所述遮光壁形成为具有与所述片上透镜的高度相同的高度，或者具有大于所述片上透镜的高度的高度。

3.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁形成直至到达所述密封树脂的高度。

4.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁形成直至到达所述保护基板的高度。

5.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁形成为截面朝向上部变薄。

6.根据权利要求2所述的成像元件，还包括：

在所述片上透镜与所述密封树脂之间的透光层，所述透光层透射所述入射光，

其中所述透光层的折射率低于所述片上透镜的折射率。

7.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：

在所述滤色层与所述密封树脂之间的透光层，所述透光层透射所述入射光，

其中所述透光层的折射率在所述保护基板的折射率与所述滤色层的折射率之间。

8.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁具有使入射角度等于或大于预定入射角度的入射光被截止的高度。

9.根据权利要求8所述的成像元件，还包括：

在所述滤色层的上方的片上透镜，

其中将所述遮光壁的在所述片上透镜上侧的高度定义为突出量，用(像素尺寸/2)×tan(90–希望截止的入射光的角度)来计算所述遮光壁的突出量。

10.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：

具有在平面图中形成为凹凸状的所述遮光壁的像素。

11.根据权利要求10所述的成像元件，

其中R像素形成为所述凹凸状。

12.根据权利要求10所述的成像元件，

其中所有像素都形成为所述凹凸状。

13.根据权利要求10所述的成像元件，

其中所述凹凸状是锯齿状。

14.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁在断面图中具有波状。

15.根据权利要求1所述的成像元件，

其中所述遮光壁由吸光材料和金属材料中的一种或两种形成。

16.根据权利要求15所述的成像元件，

其中所述遮光壁由吸光材料和金属材料这两种形成，和

所述遮光壁的下部由所述金属材料形成，并且上部由所述吸光材料形成。

17.根据权利要求15所述的成像元件，

其中所述吸光材料包括炭黑，和

所述金属材料包括钨。