[发明专利]接合体的制造方法及接合材料有效
申请号: | 201880070553.0 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN111295741B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 中子伟夫;江尻芳则;石川大;须镰千绘;川名祐贵;根岸征央;谷中勇一 | 申请(专利权)人: | 株式会社力森诺科 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01B1/00;H01B1/22;H05K1/09;H05K3/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 制造 方法 材料 | ||
1.一种接合体的制造方法,其具备以下工序:
第一工序,其中准备具备第一构件、第二构件和接合材料的层叠体,所述第一构件在表面设有金属柱状物,所述第二构件在表面设有电极垫,且按照所述金属柱状物与所述电极垫彼此相向的方式配置,所述接合材料设置在所述金属柱状物与所述电极垫之间,且含有金属粒子及在还原环境气体下的5%重量减少温度为100℃~300℃的热分解性树脂;和
第二工序,其中加热所述层叠体,在规定的烧结温度下使所述接合材料烧结,
其中,所述接合材料满足下述式(I)的条件,
所述热分解性树脂的还原环境气体下的5%重量减少温度比所述烧结温度低,
所述热分解性树脂含有聚碳酸酯,
所述热分解性树脂的含量以所述接合材料的总质量为基准计为1.0~20.0质量%,
(M1-M2)/M1×100≥1.0(I)
式(I)中,M1表示在所述第二工序中所述接合材料的温度到达所述烧结温度时的所述接合材料的质量,M2表示接合材料中的不挥发成分量。
2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法,其中,所述烧结温度为150~300℃。
3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法,其中,所述第二工序中,在无加压或0.1MPa以下的加压下使所述接合材料烧结。
4.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法,其中,
所述金属粒子含有体积平均粒径为0.11~0.80μm的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2.0~50μm且长宽比为3.0以上的薄片状微米铜粒子,
所述亚微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为30~90质量%,
所述微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为10~50质量%。
5.一种接合材料,其为用于将金属柱状物与电极垫接合的接合材料,其中,
所述接合材料含有:
金属粒子;和
在还原环境气体下的5%重量减少温度为100℃~300℃的热分解性树脂,
所述热分解性树脂含有聚碳酸酯,
所述热分解性树脂的含量以所述接合材料的总质量为基准计为1.0~20.0质量%。
6.根据权利要求5所述的接合材料,其中,所述金属粒子含有体积平均粒径为0.11~0.80μm的亚微米铜粒子及体积平均粒径为2.0~50μm且长宽比为3.0以上的薄片状微米铜粒子,
所述亚微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为30~90质量%,
所述微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为10~50质量%。
7.根据权利要求5或6所述的接合材料,其被用于通过在150~300℃的烧结温度下使其烧结而将所述金属柱状物与所述电极垫接合。
8.根据权利要求5或6所述的接合材料,其被用于通过在无加压或0.1MPa以下的加压下使其烧结而将所述金属柱状物与所述电极垫接合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造