[发明专利]与传输子量子位的超导部分TSV的背侧耦合

权利要求书

1.一种超导C耦合器，包括：

沟槽，所述沟槽从衬底的背侧穿过所述衬底到达所述衬底中的深度，所述深度基本上垂直于所述衬底的前侧上的制造平面，所述深度小于所述衬底的厚度；

超导材料，所述超导材料作为通孔层被沉积在所述沟槽中，其中所述沟槽中的所述通孔层的表面之间的空间保持从所述背侧可接近；

在所述前侧上的超导焊盘，所述超导焊盘与在所述前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合；以及

在所述背侧上的所述通孔层的延伸部，其中所述延伸部耦合到在所述背侧上被制造的量子读出电路元件。

2.如权利要求1所述的超导C耦合器，还包括：

介电材料，所述介电材料从所述背侧被填充在所述通孔层的所述表面之间的所述空间中。

3.如权利要求2所述的超导C耦合器，其中所述介电材料是氧化硅(SiO2)。

4.根据权利要求2所述的超导C耦合器，

其中所述介电材料被蚀刻，使得所述介电材料被去除并且所述空间被空气占据。

5.根据权利要求1所述的超导C耦合器，

其中第二超导材料的层被沉积在所述前侧上，并且

其中，所述第二超导材料的所述层被掩蔽和蚀刻以在所述前侧上形成所述超导焊盘。

6.如权利要求5所述的超导C耦合器，其中所述第二超导材料的所述层在形成所述沟槽之前被沉积，并且

其中所述第二超导材料的所述层由牺牲层保护。

7.如权利要求1所述的超导C耦合器，其中所述通孔层的所述延伸部与所述量子读出电路元件电耦合。

8.如权利要求1所述的超导C耦合器，其中所述通孔层的所述延伸与所述量子读出电路元件直接电耦合。

9.如权利要求1所述的超导C耦合器，其中所述通孔层的所述延伸部被电耦合到所述背侧上的第二超导焊盘，并且其中所述第二超导焊盘与所述量子读出电路元件耦合。

10.如权利要求1所述的超导C耦合器，其中所述量子读出电路元件包括电路的接地平面，并且其中所述C耦合器附加地用作与所述电路耦合的其他C耦合器的接地屏蔽。

11.一种方法，包括：

在超导C耦合器中形成沟槽，所述沟槽从衬底的背侧穿过所述衬底到达所述衬底中的深度，所述深度基本上垂直于所述衬底的前侧上的制造平面，所述深度小于所述衬底的厚度；

在所述沟槽中沉积超导材料作为通孔层，其中所述沟槽中的所述通孔层的表面之间的空间保持从所述背侧可接近；

在所述前侧上形成超导焊盘，所述超导焊盘与在所述前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合；以及

在所述背侧上形成所述通孔层的延伸部，其中所述延伸部耦合到在所述背侧上被制造的量子读出电路元件。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

从所述背侧在所述通孔层的所述表面之间的所述空间中填充介电材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述介电材料是氧化硅(SiO2)。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

其中所述介电材料被蚀刻，使得所述介电材料被去除并且所述空间被空气占据。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述前侧上沉积第二超导材料的层；以及

掩蔽并蚀刻所述第二超导材料的所述层以在所述前侧上形成所述超导焊盘。