[发明专利]用于3D NAND和DRAM应用的含有-NH2官能团的氢氟烃

权利要求书

1.一种用于蚀刻布置在基板上的含硅层的结构的方法，该结构具有：沉积在第一含硅层和第二含硅层的交替层上的介电减反射涂层(DARC)、在该DARC层上形成的图案化光致抗蚀剂层、以及在该DARC层与这些交替层之间形成的硬掩模层，该方法包括以下步骤：

使用氢氟烃蚀刻化合物相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻该DARC层以在该DARC层中产生孔，该氢氟烃蚀刻化合物选自下组，该组由以下各项组成：2,2,2-三氟乙胺(C₂H₄F₃N)、1,1,2-三氟乙-1-胺(异-C₂H₄F₃N)、2,2,3,3,3-五氟丙胺(C₃H₄F₅N)、1,1,1,3,3-五氟-2-丙胺(异-C₃H₄F₅N)、1,1,1,3,3-五氟-(2R)-2-丙胺(异-2R-C₃H₄F₅N)和1,1,1,3,3-五氟-(2S)-2-丙胺(异-2S-C₃H₄F₅N)；

使用适用于蚀刻该硬掩模层的蚀刻气体相对于该图案化光致抗蚀剂层和该DARC层选择性地等离子蚀刻通过该DARC层中的孔而暴露的硬掩模层，以使这些孔延伸通过该硬掩模层；并且

使用该氢氟烃蚀刻化合物相对于该硬掩模层选择性地等离子蚀刻通过该硬掩模层中的孔而暴露的交替层，以使这些孔延伸通过这些交替层，其中该第一含硅层和该第二含硅层被非选择性地蚀刻。

2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括当该氢氟烃蚀刻化合物被等离子活化时，在该图案化光致抗蚀剂层上、该硬掩模层上、和这些孔的侧壁上沉积聚合物层的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，该方法进一步包括与该氢氟烃蚀刻化合物一起引入含氧气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该含氧气体选自下组，该组由以下各项组成：O₂、O₃、CO、CO₂、NO、NO₂、N₂O、SO₂、COS、H₂O及其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该氢氟烃蚀刻化合物是2,2,2-三氟乙胺(C₂H₄F₃N)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该氢氟烃蚀刻化合物是2,2,3,3,3-五氟丙胺(C₃H₄F₅N)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该DARC层是具有式SiO_xN_yH_zC_k的含硅膜，其中，x在从0至2的范围内，y在从0至1的范围内，z在从0至约1的范围内并且k在从0至1的范围内。

8.如权利要求7所述的方法，其中该DARC层是SiON层。

9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该第一含硅层是氧化硅层并且该第二含硅层是氮化硅层，反之亦然。

10.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该第一含硅层是氧化硅层并且该第二含硅层是多晶硅层，反之亦然。

11.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该硬掩模层是无定形碳或掺杂的无定形碳的热CVD、PECVD或喷涂/旋涂沉积层。