[发明专利]多模式电源管理电路

说明书

在示例电路(200)中，第一电感器(205)耦合在第一节点和第二节点(290)之间。第一PFET(215)具有耦合到第二节点(290)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第二PFET(220)具有耦合到接地电压电势(285)的源极端子和耦合到第二节点(290)的漏极端子。第三PFET(225)具有耦合到第四节点(294)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第四PFET(230)具有耦合到接地电压电势(285)的源极端子和耦合到第四节点(294)的漏极端子。NFET(245)具有耦合到第五节点(296)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第二电感器(240)耦合在第四节点(294)和第五节点(296)之间。

背景技术

本发明涉及电源管理电路。

发明内容

在至少一个示例中，电路包括第一电感器，所述第一电感器具有被配置为耦合到第一节点的第一端子和被配置为耦合到第二节点的第二端子。所述电路进一步包括第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(PFET)，所述第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管具有耦合到所述第二节点的源极端子和耦合到第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二PFET，所述第二PFET具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第二节点的漏极端子。所述电路进一步包括第三PFET，所述第三PFET具有耦合到第四节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第四PFET，所述第四PFET具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子。所述电路进一步包括n型MOSFET(NFET)，所述n-型MOSFET具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二电感器，所述第二电感器具有被配置为耦合到所述第四节点的第一端子和被配置为耦合到所述第五节点的第二端子。所述电路进一步包括控制器，所述控制器耦合到所述第一PFET的栅极端子、所述第二PFET的栅极端子、所述第三PFET的栅极端子、所述第四PFET的栅极端子和所述NFET的栅极端子。

在至少一个示例中，系统包括电路、负载和电池。所述电路包括被配置为耦合在第一节点和第二节点之间的第一电阻器和耦合在所述第二节点和第三节点之间的第一电感器。所述电路进一步包括第一PFET，所述第一PFET具有耦合到所述第三节点的源极端子和耦合到第四节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二PFET，所述第二PFET具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第三PFET，所述第三PFET具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子。所述电路进一步包括第四PFET，所述第四PFET具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第五节点的漏极端子。所述电路进一步包括NFET，所述NFET具有耦合到第六节点的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二电感器，所述第二电感器具有被配置为耦合到所述第五节点的第一端子和被配置为耦合到所述第六节点的第二端子。所述电路进一步包括控制器，所述控制器耦合到所述第一PFET的栅极端子、所述第二PFET的栅极端子、所述第三PFET的栅极端子、所述第四PFET的栅极端子和所述NFET的栅极端子。在至少一个示例中，所述负载被配置为耦合到所述第四节点。在至少一个示例中，所述电池被配置为耦合在所述第六节点和所述接地电压电势之间。