[发明专利]膜

说明书

提供一种即使在高温下介质损耗角正切也小、并且绝缘击穿强度也优异的膜。一种膜，其特征在于，其在频率1kHz、160℃下的介质损耗角正切为0.02％以下，160℃下的绝缘击穿强度为400V/μm以上。

技术领域

本发明涉及膜。

背景技术

以往，由于介电常数高，提出了在膜电容器用膜中使用聚偏二氟乙烯(PVdF)。另外，还示出了使用由偏二氟乙烯(VdF)、四氟乙烯(TFE)形成的共聚物的方法。

例如，专利文献1中记载了一种膜，其特征在于，其使用了VdF与TFE的共聚物，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B根据下式计算出的变化率为-8％～+8％。

变化率(％)＝(B－A)/A×100

另外，在专利文献2中，作为机械强度提高的氟树脂膜，记载了一种高强度的氟树脂膜，其特征在于，介电常数为5以下，MD方向和TD方向的拉伸断裂强度均为40MPa以上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/014123号

专利文献2：日本特开2002-219750号公报

发明内容

发明所要解决的课题

功率半导体被广泛地用于家电设备、车载设备等中，与以往使用的硅系半导体相比，通过使用能够在更高温度下工作的SiC(碳化硅)半导体，对于作为功率半导体的周边构件使用的膜电容器也要求在高温下稳定工作。但是，在现有的膜电容器中提出的膜仅仅是介质损耗角正切大、或者高温下的体积电阻率及绝缘击穿强度低，需要一种可满足全部上述特性的膜。

鉴于上述现状，本发明的目的在于提供一种即使在高温下介质损耗角正切也小、并且绝缘击穿强度也优异的膜。

用于解决课题的手段

本发明为一种膜(下文中也称为“本发明的第1膜”)，其特征在于，其在频率1kHz、160℃下的介质损耗角正切为0.02％以下，160℃下的绝缘击穿强度为400V/μm以上。

本发明的第1膜优选160℃下的体积电阻率为1.0E16Ω·cm以上。

本发明的第1膜优选包含聚合物。

上述聚合物的结晶度优选为65％以上。

上述聚合物优选是熔点为270℃以上的含氟聚合物。

上述聚合物优选是相对介电常数为2.5以下的含氟聚合物。

上述聚合物优选是选自由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和四氟乙烯/六氟丙烯共聚物组成的组中的至少一种含氟聚合物。

另外，本发明还为一种膜(下文中也称为“本发明的第2膜”)，其特征在于，其包含选自由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和四氟乙烯/六氟丙烯共聚物组成的组中的至少一种含氟聚合物，该含氟聚合物的结晶度为65％以上。

本发明的膜优选厚度为1μm～100μm。

本发明的膜优选被用于膜电容器、电润湿器件、电路用基板、电线用电缆、高频用印刷基板、电子部件封装材料、或者电机/变压器用电绝缘。

需要说明的是，下文中记为“本发明的膜”的情况下，包括上述本发明的第1膜和第2膜两者。

发明的效果

本发明的膜具有上述构成，因此在高温下介质损耗角正切也小，并且绝缘击穿强度也优异。