[发明专利]光电转换元件和摄像装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

第一电极；

第二电极，其与所述第一电极相对；和

有机层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含有机光电转换层，

所述有机层中包括的至少一层被形成为包含由以下通式(1)表示的至少一种有机半导体材料。

[化学式.1]

(其中，X是氧原子(O)、硫原子(S)和硒原子(Se)中的一种，并且A1和A2分别独立地为芳基、杂芳基、芳基氨基、杂芳基氨基、具有芳基氨基作为取代基的芳基、具有杂芳基氨基作为取代基的芳基、具有芳基氨基作为取代基的杂芳基、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基或它们的衍生物。)

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述芳基和所述芳基氨基的芳基取代基包括苯基、联苯基、萘基、萘基苯基、萘基联苯基、苯基萘基、甲苯基、二甲苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、并四苯基和荧蒽基中的一种。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述杂芳基和所述杂芳基氨基的杂芳基取代基包括噻吩基、噻吩基苯基、噻吩基联苯基、噻唑基、噻唑基苯基、噻唑基联苯基、异噻唑基、异噻唑基苯基、异噻唑基联苯基、呋喃基、呋喃基苯基、呋喃基联苯基、噁唑基、噁唑基苯基、噁唑基联苯基、恶二唑基、恶二唑基苯基、恶二唑联苯基、异噁唑基、苯并噻吩基、苯并噻吩基苯基、苯并噻吩基联苯基、苯并呋喃基、吡啶基、吡啶基苯基、吡啶基联苯基、喹啉基、喹啉基苯基、喹啉基联苯基、异喹啉基、异喹啉基苯基、异喹啉基联苯基、吖啶基、吲哚基、吲哚苯基、吲哚联苯基、咪唑基、咪唑苯基、咪唑联苯基、苯并咪唑基、苯并咪唑苯基、苯并咪唑联苯基和咔唑基中的一种。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述有机光电转换层被形成为包含由所述通式(1)表示的所述有机半导体材料。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，由所述通式(1)表示的所述有机半导体材料包括苯并双苯并噻吩衍生物。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述苯并双苯并噻吩衍生物包括由以下表达式(1-1)表示的化合物。

[化学式.2]

7.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述苯并双苯并噻吩衍生物包括由以下表达式(1-2)表示的化合物。

[化学式.3]

8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述有机光电转换层还包括富勒烯C60或其衍生物和富勒烯C70或其衍生物中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述有机光电转换层还包括亚酞菁或亚酞菁衍生物。

10.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，在膜厚度为5nm以上且100nm以下的单层膜中，由所述通式(1)表示的所述有机半导体材料对450nm以上的波长的吸光率为0％以上且3％以下，对425nm的波长的吸光率为0％以上且30％以下，并且对400nm的波长的吸光率为0％以上且80％以下。

11.根据权利要求4所述的光电转换元件，其中，所述有机光电转换层中的由所述通式(1)表示的所述有机半导体材料中的表观HOMO能级与所述有机光电转换层中的除了由所述通式(1)表示的所述有机半导体材料以外的材料的LUMO能级之间的能量差为1.1eV以上。

12.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一电极和所述第二电极均包含透明导电材料。

13.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者包含透明导电材料，另一者包含金属材料。