[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，具备：

第1导电类型的碳化硅半导体层(2、3、7)；

第2导电类型的第2扩散层(9)，在所述碳化硅半导体层(2、3、7)的表层部分地形成；

第2导电类型的第3扩散层(19)，至少形成于所述第2扩散层(9)的表层的一部分；以及

第1导电类型的第4扩散层(11)，在所述第3扩散层(19)的表层部分地形成，

所述第3扩散层(19)比所述第2扩散层(9)更浅地形成，

在剖面视时，所述第4扩散层(11)形成于所述第3扩散层(19)内，

在剖面视时，所述第3扩散层(19)形成于相对所述第2扩散层(9)成为非对称的位置。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，

所述第3扩散层(19)形成于与所述碳化硅半导体层(2、3、7)以及所述第2扩散层(9)接触的位置。

3.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，还具备：

第1栅极绝缘膜(12)，与所述第2扩散层(9)的表面的一部分及所述第3扩散层(19)的表面的一部分分别接触地形成；

第2栅极绝缘膜(12)，与所述第2扩散层(9)的表面的另一部分及所述第3扩散层(19)的表面的另一部分分别接触地形成；

第1栅极电极(13)，与所述第1栅极绝缘膜(12)接触地形成；以及

第2栅极电极(13)，与所述第2栅极绝缘膜(12)接触地形成。

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置，其中，

在俯视时所述第3扩散层(19)的与所述第1栅极绝缘膜(12)重叠的宽度大于在俯视时所述第3扩散层(19)的与所述第2栅极绝缘膜(12)重叠的宽度。

5.根据权利要求4所述的碳化硅半导体装置，其中，

在俯视时所述第3扩散层(19)的与所述第1栅极绝缘膜(12)重叠的宽度大于在俯视时所述第2扩散层(9)的与所述第1栅极绝缘膜(12)重叠的宽度，

在俯视时所述第3扩散层(19)的与所述第2栅极绝缘膜(12)重叠的宽度是在俯视时所述第2扩散层(9)的与所述第2栅极绝缘膜(12)重叠的宽度以下。

6.根据权利要求4或者5所述的碳化硅半导体装置，其中，

所述第1栅极绝缘膜(12)以及所述第2栅极绝缘膜(12)至少与被所述碳化硅半导体层(2、3、7)和所述第4扩散层(11)夹着的所述第2扩散层(9)的表面以及被所述碳化硅半导体层(2、3、7)和所述第4扩散层(11)夹着的所述第3扩散层(19)的表面分别接触地形成。

7.根据权利要求6所述的碳化硅半导体装置，其中，

所述第1栅极绝缘膜(12)与所述第4扩散层(11)的表面的一部分接触地形成，

所述第2栅极绝缘膜(12)与所述第4扩散层(11)的表面的另一部分接触地形成，

在俯视时所述第4扩散层(11)的与所述第1栅极绝缘膜(12)重叠的宽度大于在俯视时所述第4扩散层(11)的与所述第2栅极绝缘膜(12)重叠的宽度。

8.根据权利要求6或者7所述的碳化硅半导体装置，其中，

在俯视时与所述第1栅极绝缘膜(12)重叠的、被所述碳化硅半导体层(2、3、7)和所述第4扩散层(11)夹着的所述第3扩散层(19)的宽度小于1.0μm。

9.根据权利要求4至8中的任意1项所述的碳化硅半导体装置，其中，

所述第3扩散层(19)跨越所述碳化硅半导体层(2、3、7)的表层以及所述第2扩散层(9)的表层而形成。