[发明专利]直接在非晶硅硬掩模上的构图在审
| 申请号： | 201880072073.8 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111316398A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | E.A.德席尔瓦;A.阿塞奥德拉佩纳;N.费力克斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直接 非晶硅硬掩模上 构图 | ||
1.一种用于在半导体器件中的非晶硅硬掩模上构图抗蚀剂层的方法，该方法包括：
在下面的叠层上形成非晶硅硬掩模层；
向所述非晶硅硬掩模层的表面注入一种或多种疏水性元素；以及
直接在所述非晶硅硬掩模层的表面上形成抗蚀剂层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通过低能量注入来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。
3.如权利要求1所述的方法，其中，通过等离子体处理来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。
4.如权利要求1所述的方法，其中，向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素，将所述非晶硅硬掩模层的表面的组成改变为包括所述一种或多种疏水性元素的10-15％。
5.如权利要求1所述的方法，其中向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素之前和之后，所述非晶硅硬掩模层保持相同的整体蚀刻选择性。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括硼。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括氙。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括氟。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括磷。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀剂层是光致抗蚀剂。
11.如权利要求1所述的方法，其中，通过稀氢氟酸型湿法清洁去除所述非晶硅硬掩模层的表面的自然氧化物层。
12.如权利要求1所述的方法，其中，保留所述非晶硅硬掩模层的表面的自然氧化物层。
13.一种增加非晶硅硬掩模抗蚀剂粘附性的方法，所述方法包括：
向非晶硅硬掩模层的表面注入一种或多种疏水性元素。
14.如权利要求13所述的方法，其中，通过低能量注入来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。
15.如权利要求13所述的方法，其中，通过等离子处理来执行向所述非晶硅硬掩模层的表面注入所述一种或多种疏水性元素。
16.如权利要求13所述的方法，其中所述一种或多种疏水性元素包括选自包括硼、氙、氟和磷的组中的至少一种元素。
17.一种结构，包括：
一种非晶硅硬掩模层，其具有包括一种或多种疏水元素的上表面组成；以及
在所述非晶硅硬掩模层的上表面上的抗蚀剂层。
18.如权利要求17所述的结构，其中所述非晶硅硬掩模层的上表面组成包括所述一种或多种疏水元素的10-15％。
19.如权利要求17所述的结构，其中所述一种或多种疏水性元素包括选自包括硼、氙、氟和磷的组中的至少一种元素。
20.如权利要求17所述的结构，其中所述非晶硅硬掩模层维持与非晶硅一致的蚀刻选择性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
