[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880072281.8 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111316409A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 中村卓矢 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
焊盘，所述焊盘在表面上包括凹部，并且进行焊料连接；
扩散层，所述扩散层布置在所述凹部处并由在所述焊料连接时在扩散到焊料中的同时保留在所述焊盘的表面上的金属构成；和
熔融层，所述熔融层与所述扩散层相邻布置并且由在所述焊料连接时扩散并熔融到所述焊料中的金属构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步地包括：
防扩散层，所述防扩散层布置在所述焊盘和所述扩散层之间并且由在所述焊料连接时防止所述焊盘扩散到所述焊料中的金属构成，
其中在所述焊料连接时，所述扩散层保留在所述防扩散层的表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘包括形成为线状的多个所述凹部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘由铝构成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘由铜构成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述扩散层由钴构成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述熔融层的与和所述扩散层相邻的平面不同的平面具有平坦的平面形状。
8.一种半导体装置的制造方法，包括：
凹部形成步骤，其中在进行焊料连接的焊盘的表面上形成凹部；
扩散层形成步骤，其中在所述形成的凹部处形成扩散层，所述扩散层由在所述焊料连接时在扩散到焊料中的同时保留在所述焊盘的表面上的金属构成；和
熔融层形成步骤，其中形成与所述形成的扩散层相邻的熔融层，所述熔融层由在所述焊料连接时扩散并熔融到所述焊料中的金属构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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